发明专利已授权

一种浅沟槽场板SiGe HBT及其制作方法

📄 申请号：CN202010579501.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-06-23

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_40

IPC 分类号

H01L29_40 , H01L29_737 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件双极型晶体管集成电路制造工艺

应用场景

射频通信, 高速集成电路, 无线通信, 功率放大, 毫米波通信

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摘要

本发明公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT，包括p型衬底，衬底上端设有n型埋层，埋层上端设有集电区，集电区中间隔设有浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区中有场板，集电区上端为p型SiGe基区，SiGe基区上设有n+多晶硅发射区，多晶硅发射区的相对两侧分别设有p+多晶硅外基区，集电区与外基区之间设有隔离氧化层，多晶硅发射区与多晶硅外基区间有侧墙，多晶硅外基区、多晶硅发射区、多晶硅发射区的引出端表面均设有硅化钛。本发明还公开了一种浅沟槽场板SiGe HBT的制作方法，本发明中的SiGe HBT能够提高器件电学性能，缓解基区扭结效应造成的器件高频应用时最大稳定增益较低的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221220

✅ 授权

20201120

?? 实质审查的生效：

20201103

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：23 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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