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实用新型
已授权
一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构
📄 申请号:CN202122949660.2
📄 发布日:2026/05/19
著录项目信息
申请日
2021-11-29
公开号
CN218632058U
公开日
2023-03-14
申请人
天津赛米卡尔科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
H01L31_0224
IPC 分类号
H01L31_0224
,
H01L31_108
,
技术画像
所属领域
光电探测器
光电探测器
半导体光电器件
等离子激元技术
应用场景
紫外探测, 环境监测, 火焰探测, 光通信, 生物医学检测
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摘要
本申请提供了一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构,包括衬底,衬底上依次设有缓冲层、吸收层,吸收层上设有光栅型叉指电极;光栅型叉指电极为周期栅型分列金属纳米电极,周期栅型分列金属纳米电极中每一个叉指由平行且均匀分布的10—100个光栅金属条构成;本实用新型提供了一种易于制作、简单的一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构,通过使电极处金属结构进行光栅结构化,从而克服电极挡光的问题,而且可以利用等离子激元作用增加探测器的响应度。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器
当前第 / 件
一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件结构
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