实用新型已授权

具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器

📄 申请号：CN202123147411.8 📄 发布日：2026/05/19

著录项目信息

申请日

2021-12-15

公开号

CN216929168U

公开日

2022-07-08

申请人

天津赛米卡尔科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01S5_183

IPC 分类号

H01S5_183 , H01S5_343 ,

技术画像

所属领域

半导体激光器半导体激光器光通信器件半导体光电子器件

应用场景

光通信, 数据中心, 3D传感, 激光显示, 激光雷达

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摘要

一种具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器，包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P型欧姆电极；N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流扩展层形成有台肩，台肩的底部延伸至N‑型半导体传输层，暴露的N‑型半导体传输层上设有N型欧姆电极；本申请实现对电子的阻挡效应，限制电子从MQWs中泄露，促进空穴注入与其发生辐射复合，通过InGaN的插入，会引入势垒，提高辐射复合速率，提高VCSEL光输出功率和光电转换效率，从而提高器件的性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种轻量分段式复合材料电杆

当前第 / 件

一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构

同领域国内专利 · IPC: (H01S5_183)

H01S5_00 H01S5_02 H01S5_022 H01S5_023 H01S5_02315 H01S5_0232 H01S5_02326 H01S5_0237 H01S5_024 H01S5_026 H01S5_028 H01S5_042 H01S5_06 H01S5_0687 H01S5_10 H01S5_11 H01S5_183 H01S5_20 H01S5_34 H01S5_343 H01S5_36 H01S5_40 H01S5_50 覆盖23个领域

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