实用新型已授权

一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件结构

📄 申请号：CN202122375051.0 📄 发布日：2026/05/19

著录项目信息

申请日

2021-09-29

公开号

CN215988772U

公开日

2022-03-08

申请人

天津赛米卡尔科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L29_778

IPC 分类号

H01L29_778 , H01L29_40 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

宽禁带半导体器件宽禁带半导体器件 GaN基HEMT器件功率半导体器件

应用场景

5G通信, 射频功率放大器, 电源转换, 新能源汽车, 雷达系统

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摘要

本申请提供一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、沟道层，沟道层为凸台型，凸台的顶部和下部平面上设有势垒层，凸台的外侧和势垒层的上部设有栅介质层，凸台顶部的栅介质层和凸台外侧的栅介质层的外侧设有栅电极，凸台下部平面两侧设有源漏电极与势垒层相连；本实用新型利用沟道层材料体系的非极性面实现2DEG沟道的阻断，实现了常关型操作，且器件阈值电压具有较好的重复性和均匀性；采用半绝缘GaN作为沟道层，当HEMT处于关断状态时，漏电流极小且可承受较大的电压而不击穿；本实用新型可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构

当前第 / 件

一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_778)

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