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专利详情
实用新型
已授权
一种半导体器件散热封装结构
📄 申请号:CN202321638221.2
📄 发布日:2026/06/05
著录项目信息
申请日
2023-06-27
公开号
CN220155530U
公开日
2023-12-08
申请人
张家港意发功率半导体有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
H01L23_367
IPC 分类号
H01L23_367
,
H01L23_48
,
H01L23_492
,
技术画像
所属领域
半导体封装
半导体封装
散热技术
应用场景
集成电路, 功率器件, 消费电子, 通信设备, 汽车电子
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摘要
本实用新型公开了一种半导体器件散热封装结构,其包括:半导体器件、绝缘封装基体、第一引脚和第二引脚,所述半导体器件设置在绝缘封装基体中,所述第一引脚设置在半导体器件的顶部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体左侧下方,所述第二引脚设置在半导体器件的底部,并向下弯折延伸至绝缘封装基体右侧下方,所述绝缘封装基体左侧内凹设置有第一散热槽,所述第一引脚上设置有延伸至第一散热槽中的第一导热片,所述第一导热片末端弯折设置有覆盖第一散热槽内端面的第一散热片。本实用新型所述的半导体器件散热封装结构,提升了散热效果,确保了使用安全性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种FRD芯片
当前第 / 件
一种半导体器件防脱运载装置
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