实用新型已授权

一种GaN基肖特基二极管

📄 申请号：CN202123250893.X 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2021-12-22

公开号

CN217306515U

公开日

2022-08-26

申请人

张家港意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L29_872

IPC 分类号

H01L29_872 , H01L29_47 , H01L29_45 , H01L29_207 , H01L21_329 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体宽禁带半导体

应用场景

电力电子, 高频通信, 电源转换, 5G基站, 新能源汽车

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摘要

本实用新型公开了一种GaN基肖特基二极管，包括由下至上依次层叠设置的硅衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层及Si3N4表面钝化层，还包括阳极，呈T型设置在Si3N4表面钝化层上，且其底部依次穿过Si3N4表面钝化层、AlGaN势垒层后到达GaN沟道层的表面，阳极与GaN沟道层形成肖特基接触；阴极，设置在Si3N4表面钝化层上，且围设在阳极的外周，阴极与阳极之间存在间距，阴极的底部依次穿过表面钝化层、AlGaN势垒层后到达GaN沟道层内部，阴极与GaN沟道层形成欧姆接触；氟离子结构，位于GaN沟道层内，且位GaN沟道层中的二维电子气的下方，二维电子气位于GaN沟道层与AlGaN势垒层的接面处。该GaN基肖特基二极管，二维电子气浓度高，且具有击穿电压高、导通电阻低和正向电流大的特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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