实用新型已授权

一种基于N型注入层的IGBT芯片

📄 申请号：CN202120212809.6 📄 发布日：2026/02/04

著录项目信息

申请日

2021-01-26

公开号

CN214279971U

公开日

2021-09-24

申请人

德兴市意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L23_60

IPC 分类号

H01L23_60

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 IGBT芯片半导体芯片

应用场景

新能源汽车, 工业控制, 光伏逆变器, 储能系统, 轨道交通

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摘要

本实用新型公开一种基于N型注入层的IGBT芯片，包括基板和衬底，所述基板的顶端安装有衬底，所述衬底的顶端设置有IGBT板，所述IGBT板和衬底的外侧设置有软熔铸，所述软熔铸的外侧设置有外壳B，所述外壳B的顶端贯穿有电源端子、辅助端子A和辅助端子B，首先需要向内按压按压开关，在按压开关之后内部的弹簧就会收缩，接着就会带动连接杆的上端围绕转轴想内运动，这时候连接杆的下端就会围绕转轴向外移动，这时候连接杆的下端就会带动橡胶防滑垫向外移动，这时候把外壳B放在内部然后松开便完成了，这样在运送的时候，两个相邻原件之间就不会有静电发生，这样在运送的时候就会更加的安全，这样还能防止在运送的时候两个元件之间的碰撞。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种抗压能力强的门窗铝型材结构

当前第 / 件

一种双面散热半导体IGBT管

同领域国内专利 · IPC: (H01L23_60)

H01L23_02 H01L23_04 H01L23_053 H01L23_055 H01L23_06 H01L23_10 H01L23_12 H01L23_13 H01L23_14 H01L23_15 H01L23_16 H01L23_24 H01L23_26 H01L23_29 H01L23_31 H01L23_32 H01L23_367 H01L23_373 H01L23_40 H01L23_427 H01L23_433 H01L23_467 H01L23_473 H01L23_48 H01L23_488 H01L23_49 H01L23_495 H01L23_498 H01L23_522 H01L23_525 H01L23_528 H01L23_538 H01L23_544 H01L23_552 H01L23_58 H01L23_60 H01L23_64 覆盖37个领域

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