发明专利已授权

具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法

📄 申请号：CN202010652169.0 📄 发布日：2026/04/15

著录项目信息

申请日

2020-07-08

公开号

CN111668291A

公开日

2020-09-15

申请人

梁志全

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_417 , H01L29_47 , H01L29_872 , H01L21_28 , H01L21_04 , H01L21_329 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅半导体半导体器件制造工艺

应用场景

电力电子, 电源转换, 新能源汽车, 充电桩, 浪涌保护

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摘要

本发明涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的槽宽呈逐级增大设置；第一导电类型碳化硅外延体区的上表面以及阶梯型沟槽的内部设有肖特基金属层；第二导电类型体区呈阶梯型且包围每一级沟槽的底面以及第二级至最后一级沟槽的侧壁。本发明提高了抗顺向突波电流能力；本发明具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗突波电流能力和更低的制作成本。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250912

✅ 授权

20250902

⏳ 专利申请权的转移：

20231020

⏳ 专利申请权的转移：

20201013

?? 实质审查的生效：

20200915

📄 公开

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