发明专利已授权

利用MXene-GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法

📄 申请号：CN202110340205.4 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2021-03-30

公开号

CN113097315B

公开日

2022-10-11

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0224

IPC 分类号

H01L31_0224 , H01L31_0352 , H01L31_108 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

光电探测器光电探测器 GaN基半导体器件 MXene二维材料

应用场景

光通信, 紫外探测, 光电成像, 环境监测, 工业传感

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摘要

本发明公开了一种利用MXene‑GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，解决了现有技术中的MSM型光电探测器暗电流大、响应度低的问题，本发明的光电探测器包括生长基底，所述生长基底为图形化蓝宝石衬底结构，所述生长基底表面上由下至上连接有GaN薄膜层、n型GaN薄膜层、GaN‑InGaN组合层和MXene材料层。本发明将MXene材料与图形化蓝宝石衬底相结合降低了暗电流、提高了响应度，可用于水下光学检测和水下通信等领域。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方法

当前第 / 件

一种硅基高速钙钛矿光源及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_0224)

H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_042 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖43个领域

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