发明专利已授权

砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方法

📄 申请号：CN201310322211.2 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2013-07-30

公开号

CN103367481B

公开日

2016-01-06

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_0304 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

红外光电探测器红外光电探测器半导体量子结构光电子器件

应用场景

红外成像, 光通信, 环境监测, 安防监控, 军事探测

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摘要

本发明公开了一种砷化镓量子环红外光电探测器及其制造方案，属于红外光电探测器领域。砷化镓量子环红外光电探测器，包括衬底层（1）、生长在衬底层（1）上的砷化镓缓冲层（2），还包括在砷化镓缓冲层（2）上依次生长的砷化镓接触层（3）、砷化镓铝底部间隔层（4）、量子环结构层（5）；所述量子环结构层（5）至少有2层，层叠在一起。本发明通过使器件在外延生长过程中在砷化镓铝势垒材料中生长出三维结构的砷化镓量子环，避免了晶格失配应力，从而可以通过增加量子结构的叠层数来提高探测器有源区的光吸收，增加红外光电探测器的探测效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法

当前第 / 件

利用MXene-GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_0352)

H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_042 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖43个领域

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