发明专利已授权

一种硅基高速钙钛矿光源及其制备方法

📄 申请号：CN202210171171.5 📄 发布日：2026/05/13

著录项目信息

申请日

2022-02-23

公开号

CN114551742A

公开日

2022-05-27

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_50

IPC 分类号

H01L51_50 , H01L51_54 , H01L51_56 ,

技术画像

所属领域

钙钛矿光电子器件钙钛矿光电子器件硅基光子集成半导体光源

应用场景

光通信, 数据中心光互连, 激光显示, 光计算, 传感探测

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摘要

本发明公开了一种硅基高速钙钛矿光源，包括依次层叠的硅基层、金电极层、空穴传输层、甲基‑铯铅溴钙钛矿层、电子传输层、半透明银电极层；所述甲基‑铯铅溴钙钛矿层制备时加入甲基溴化铵。本发明的硅基高速钙钛矿光源能降低铯铅溴钙钛矿光源的发光淬灭以及在高电流密度下的外量子荧光效率抖降，提高器件可调制的电流密度区间和有效调制带宽范围。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20231117

✅ 授权

20220614

?? 实质审查的生效：

20220527

📄 公开

利用MXene-GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法

当前第 / 件

一种硅基发光二极管的制备方法

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