发明专利已授权

一种高性能光电探测器的制备方法

📄 申请号：CN202210036065.6 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2022-01-13

公开号

CN114497279A

公开日

2022-05-13

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L21_02 , H01L31_032 , H01L31_09 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

光通信, 图像传感, 环境监测, 医疗检测, 工业自动化

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摘要

本发明公开了一种高性能光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种高性能光电探测器的制备方法，解决现有二硒化钼光电探测器存在结构缺陷、不稳定性、低光响应的问题。其采用有效的O2等离子体处理来制备用于可见光和近红外探测的多层MoSe2光电探测器，经O2等离子体处理的MoSe2表现出显著改善的性能，在MoSe2内部产生强大的内建电场，有效地抑制了光载流子的复合，明显提升光电性能。本发明适用于高性能二硒化钼光电探测器的制备方法。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230728

✅ 授权

20220531

?? 实质审查的生效：

20220513

📄 公开

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