发明专利已授权

一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法

📄 申请号：CN202110740607.3 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2021-06-30

公开号

CN113471323A

公开日

2021-10-01

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_09

IPC 分类号

H01L31_09 , H01L31_032 , H01L31_18 , G06T1_20 ,

技术画像

所属领域

光电探测器光电探测器神经形态器件半导体器件制备

应用场景

光通信, 人工智能, 神经形态计算, 图像传感, 边缘计算

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摘要

本发明公开了一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法。所述光电探测器从下到上依次包括衬底层、光响应层、电极层；所述光响应层为富含缺陷的MoxWySz合金薄膜；所述MoxWySz合金薄膜以氯化钠促融制备。本发明通过将光响应层设置为富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜，从而使得光电探测器具有持续光电导效应；通过设置比较器模块，使得图像逻辑运算处理器单元能够执行逻辑运算。所述限域倾斜CVD法中的NaCl能够促进MoS2和WS2的融合，从而生长富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜，该薄膜中的缺陷可以束缚光生载流子，从而阻碍光生载流子的复合。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230725

✅ 授权

20211026

?? 实质审查的生效：

20211001

📄 公开

一种光电探测器

当前第 / 件

一种高性能光电探测器的制备方法

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