发明专利已授权

横向绝缘栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201510998522.X 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2015-12-28

公开号

CN105590960B

公开日

2018-11-23

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管半导体器件

应用场景

电力电子变换, 新能源汽车, 光伏逆变器, 工业变频控制, 轨道交通

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摘要

超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，涉及半导体功率器件。本发明包括硅衬底和设置于硅衬底和埋氧上方的漂移区、沟道区、欧姆接触重掺杂区、阴极、栅极介质、阳极引出线、栅极、阴极引出线、阳极，漂移区在阳极与沟道区之间的部分的上表面，设置有电场加强单元，所述电场加强单元用于产生一个从阳极指向电场加强单元下表面的电场；电场加强单元通过绝缘介质与漂移区隔离。本发明实现了LIGBT器件导通性能和开关性能的双重提高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流的方法

当前第 / 件

超高速大电流纵向绝缘栅双极型晶体管

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_739)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：119 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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