发明专利已授权

超高速大电流纵向绝缘栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201910870444.3 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-09-16

公开号

CN110620147B

公开日

2023-05-23

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管功率半导体器件半导体器件结构

应用场景

新能源汽车, 智能电网, 工业变频器, 光伏逆变器, 轨道交通

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摘要

超高速大电流纵向绝缘栅双极型晶体管，涉及功率半导体器件。本发明包括集电极、缓冲区、漂移区、欧姆接触重掺杂区、沟道区、发射区、绝缘介质层、主栅极，其特征在于，晶体管中部设置有电场加强单元，用于产生一个由集电极指向电场加强单元的电场，所述电场加强单元通过绝缘介质与晶体管其他部分隔离。本发明能够增大器件通态电流密度，也能加强漂移区内的电场调制效应，降低器件的漂移区电阻，降低通态压降；同时，该电场在器件要关断时还能够加速漂移区内过剩载流子的移除，大幅度缩短器件的关断时间，抑制拖尾电流现象。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230523

✅ 授权

20200121

?? 实质审查的生效：

20191227

📄 公开

横向绝缘栅双极型晶体管

当前第 / 件

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