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摘 要:本发明涉及纳米材料领域,具体涉及一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法。本发明给出的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结中,位于顶端Si2Te3纳米圆锥长度为10um;主干Si2Te3/Si纳米线直径为300nm;长度为50um,制备方法为:将碲粉和硅粉置入陶瓷坩埚中,将陶瓷坩埚放入石英管炉中,再将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在石英管炉内下游地方,将石英管炉抽真空至<0.1mTorr,并用氮气冲洗,直至将空气排除干净,再调节石英管炉中的真空度和载气流量,并将炉在20℃min‑1下加热至850℃,并保持3‑5分钟,最后将衬底迅速冷却至室温,即可制备出Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结。本发明制备所得的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结兼具了Si2Te3纳米线特性和Si纳米线特性,且制备工艺简单可控,重复性好。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910227594.2 | 专利名称: | 一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法 |
申请日: | 2019-03-25 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0336搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
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