发明专利已授权

一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法

📄 申请号：CN201910227594.2 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-03-25

公开号

CN109950338B

公开日

2020-09-15

申请人

皖西学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0336

IPC 分类号

H01L31_0336 , H01L31_0352 , H01L31_18 , H01L35_14 , H01L35_34 , H01L45_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米线纳米线

应用场景

光电器件, 热电转换, 光催化, 纳米电子器件, 传感器

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摘要

本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法。本发明给出的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结中，位于顶端Si2Te3纳米圆锥长度为10um；主干Si2Te3/Si纳米线直径为300nm；长度为50um，制备方法为：将碲粉和硅粉置入陶瓷坩埚中，将陶瓷坩埚放入石英管炉中，再将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在石英管炉内下游地方，将石英管炉抽真空至<0.1mTorr，并用氮气冲洗,直至将空气排除干净，再调节石英管炉中的真空度和载气流量，并将炉在20℃min‑1下加热至850℃，并保持3‑5分钟，最后将衬底迅速冷却至室温，即可制备出Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结。本发明制备所得的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结兼具了Si2Te3纳米线特性和Si纳米线特性，且制备工艺简单可控，重复性好。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200915

✅ 授权

20190723

?? 实质审查的生效：

20190628

📄 公开

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