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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201910227594.2 | 专利名称： | 一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法 |
| 申请日： | 2019-03-25 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L31/0336 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 7 | 所属领域： | 半导体材料 纳米技术 热电材料专利转让搜索 |
应用场景：热电器件制造；能源转换与回收；红外探测与成像
摘 要：本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法。本发明给出的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结中，位于顶端Si2Te3纳米圆锥长度为10um；主干Si2Te3/Si纳米线直径为300nm；长度为50um，制备方法为：将碲粉和硅粉置入陶瓷坩埚中，将陶瓷坩埚放入石英管炉中，再将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在石英管炉内下游地方，将石英管炉抽真空至<0.1mTorr，并用氮气冲洗,直至将空气排除干净，再调节石英管炉中的真空度和载气流量，并将炉在20℃min‑1下加热至850℃，并保持3‑5分钟，最后将衬底迅速冷却至室温，即可制备出Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结。本发明制备所得的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结兼具了Si2Te3纳米线特性和Si纳米线特性，且制备工艺简单可控，重复性好。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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