本发明公开了一种基于三层结构中稳态局域波的电磁波存储器，涉及电磁超构材料和电磁场技术领域。本发明三层结构的左侧层和右侧层是阻抗实部近零材料，中间层是损耗很小的介质，设置合适的条件，可在该三层结构中形成稳态局域电磁波，实现电磁波的存储。其中，中间层和右侧层的电磁参量固定不变，通过调节左侧层的电磁参量，从左侧输入或输出电磁波。本发明采用阻抗实部近零超构材料和三层结构，获得稳态局域电磁波，巧妙地解决能量损耗问题，可实现电磁波的长时间存储。
📄 2018100966123
📂 H01L45_00
👤 南京邮电大学
📅 2018-01-31
本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1-x，其中0.29≤x≤0.49。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。
📄 2014101231179
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2014-03-28
本发明涉及一种柔性TiO2阻变存储器阵列的制备方法，该方法如下：将双(乙酰丙酮基)乙氧基异丙氧基钛酸酯、乙酰丙酮按照1：1的摩尔比例溶解在乙二醇甲醚混合，获得钛离子浓度为0.5mol/L的前驱溶液。将该溶液通过提拉法涂敷在柔性的PET/ITO基底上，经过365nm紫外辐照，乙醇溶洗获得TiO2凝胶膜微阵列后，进一步在150℃采用254nm和185nm的紫外辐照3‑5小时，进一步通过Pt电极制备，既可获得具有良好保持特性和循环特性的柔性PET/ITO/TiO2存储器阵列。
📄 2017105640972
📂 H01L45_00
👤 陕西科技大学
📅 2017-07-12
本发明涉及磁相变材料技术领域，尤其涉及一种基于一级磁相变材料的电阻效应模拟人工突触的方法，通过对一级磁相变材料进行温度调控或电场调控，调节其输运性能和磁电阻效应，模拟人工突触的信息传递功能；电场调控包括离子液体电压调控和铁电衬底的电场调控。本发明通过多种方法进行调节一级磁相变薄膜材料的输运特性与磁电阻效应，可以实现电阻值随着连续的温度变化而逐渐变化的忆阻行为；此外磁相变材料在磁场中磁矩的翻转可模拟突触的记忆信息传递，有效扩展了应用前景，有望代替氧化物、二维材料制作人工突触器件。
📄 2020114599061
📂 H01L45_00
👤 杭州电子科技大学
📅 2020-12-11
本发明涉及信息技术逻辑器件技术领域，尤其涉及一种基于磁相变逻辑信号源的运算器。所述运算器以二维材料的磁相变作为逻辑信号源，用于执行算术运算或逻辑运算。所述二维材料选自石墨烯、第四主族石墨烯类似物和第四主族元素的蜂窝状二元化合物中的一种或几种。本发明以能发生磁相变的石墨烯等二维材料为基础，极大的缩小了器件的尺寸；原料来源广泛，成本低。
📄 2021104299879
📂 H01L45_00
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-04-21
本发明涉及二维材料与器件技术领域，具体涉及一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器及其制备方法。其公开了一种水热法合成SnS2六方结构纳米片，并将其与PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜，将复合薄膜作为阻变功能层材料制备106A，g耐/受[S性nS达2/到PM了M10A4，]上/C述u阻两变项参存数储在器二的维方材法料。其阻开变关存比储约器为中已达到较优水平的基础上，Set/Reset电压只有‑0.1V/0.14V，远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用，当器件从高阻转变为低阻时对应的Set电流为2.6×10‑9A，Set功率仅为3.6×10‑10W,因此器件的功耗极低。
📄 2021105565361
📂 H01L45_00
👤 西安工业大学
📅 2021-05-21
本发明公开了一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法，选择衬底，并在其上沉积导电薄膜作为底电极；在底电极上进行氧化物纳米颗粒掺杂二维卤化物钙钛矿成膜，作为阻变器件的存储层；在阻变存储层上沉积导电薄膜作为顶电极。本发明方法制备的基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器，结构简单，具有较高的稳定性，材料来源广泛，具有成本低，制备工艺简单的优点，有利用规模化应用，具有良好的市场应用前景。
📄 2021112949794
📂 H01L45_00
👤 陕西科技大学
📅 2021-11-03
本发明公开了一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，所述下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层、保护层依次沉积叠加在所述衬底层上，所述第一GeSbTe材料层为离子掺杂的GeSbTe相变材料层，所述第二GeSbTe材料层为纯相的GeSbTe相变材料。本发明的基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有热稳定性高、一致性好、相变速度快和使用寿命长特点。
📄 2016109626861
📂 H01L45_00
👤 广东石油化工学院
📅 2016-10-28
本发明涉及一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法，本发明材料是多层复合膜结构，由V2O5层和Ge2Sb2Te5层交替沉积在柔性基层材料上，将Ge2Sb2Te5层和V2O5层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge2Sb2Te5层沉积在前一个交替周期的V2O5层上方。由于材料沉积在柔性基层材料上表现出较好的塑性形变特性，在柔性存储应用中有巨大潜力；在拉伸量为5.62％材料发生弯折的情况下仍具有明显的非晶态-晶态可逆相变过程及较快的相变速度、较好的热稳定性、较高的数据保持能力，适用于高温环境下的数据存储；该材料的相变性能可通过加入的V2O5层厚度以及周期数进行有效调控。
📄 2019101461489
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2019-02-27
本发明涉及一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成，将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期；膜结构表达通式为：[Tix/Sby]a，其中x为单层Ti金属层的厚度且1nm≤x＜10nm；y为单层Sb金属层的厚度且1nm≤y＜10nm；a为Ti金属层和Sb金属层的交替周期数且2≤a＜10；x、y、a满足40nm≤(x+y)×a≤60nm，其中(x+y)×a代表所述总膜厚；采用磁控溅射法制得。本发明的Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料具有较好的热稳定性及较高的数据保持能力。
📄 2020114934159
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2020-12-17
本发明公开一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，是采用0.13μm CMOS工艺制备而得的蘑菇型结构，该器件结构自下至上依次包括Si(100)基片制备的衬底、Al材料底电极、SiO2中间介质层、在中间介质层上形成的W加热电极、Ti‑Zn‑Sb存储介质层、TiN粘附层和Al材料顶电极。Tix(ZnySb100‑y)1‑x相变材料作为神经突触仿生器件中的存储介质，可以在5~500 ns电信号脉冲宽度作用下实现多态阻值之间的转换，其中间态电阻值能够提供约8 bit的分辨率，开关电阻差异约为2个数量级。在相同脉冲操作下可以实现电阻对脉冲个数的线性响应，符合突触仿生器件的电学性质要求。
📄 2021104102998
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2021-04-16
本发明揭示了一种快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法。本发明提供的快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法，通过在绝缘衬底上形成一层金属元素配比渐变的合金层，然后在该合金层上形成合金氧化物层，再以该合金氧化物层为功能层制作出多个忆阻器，然后测试寻找性能最好的忆阻器，从而快速确认最佳金属元素配比的合金氧化物忆阻材料，该方法相较于现有技术能够显著的提高效率，减少实验次数。
📄 2021102828952
📂 H01L45_00
👤 江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
📅 2021-03-16
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