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摘 要:本发明公开了一种B4C‑TiB2导电复相陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有包覆型显微结构的,其中TiB2的体积含量为10‑30%。该导电复相陶瓷制备原料为:B4C、TiC和无定形B粉体,其制备步骤是:按照成分设计配比分别称取原料粉体;混合均匀后充分干燥;使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷,烧结温度为2000℃,压力为50MPa,保温时间为5‑20min。本发明构筑了TiB2小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构,有利导电网络的形成和完善。在相同TiB2含量下,本发明制备的B4C‑TiB2复相陶瓷具有更高的电导率。本发明制备过程简单,无需任何其它特殊复杂方法。与传统方法相比,本发明所制备的B4C‑TiB2复相陶瓷的力学性能相当或更优。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210485924.X | 专利名称: | 一种B4C-TiB2导电复相陶瓷及其制备方法 |
申请日: | 2022-05-06 | 申请/专利权人 | 安徽工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 安徽省马鞍山市湖东路59号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/563搜分类 陶瓷 C 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/01/31 | 授权 | |
2022/07/19 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C04B 35/563 专利申请号: 202210485924.X 申请日: 2022.05.06 |
2022/07/01 | 公开 |