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本发明属于于陶瓷材料技术领域，公开了一种原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷及其制备方法和应用，所述氮化硅/硼化锆复相陶瓷是将预氧化的ZrB2、Si粉和烧结助剂MgO‑Y2O3经混料，干燥后得到Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3混合粉体；将混合粉体进行造粒和成型，再采用冷等静压制得Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3坯体；将坯体在氮气气氛下，升温至1300～1450℃烧结，然后升温至1500～1600℃烧结并保温制得。本发明方法所制备的Si3N4‑ZrB2复相陶瓷的相对密度为95～99％，硬度为18～25GPa，断裂韧性为10～15MPa·m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。

本发明涉及一种氧化锆陶瓷的制备方法，采用低毒的凝胶体系及分散剂，制备出高固相的浆料，再加引发剂，经真空脱泡后，将浆料注入模具，固化后脱模，得到生坯，干燥后烧结成陶瓷。本发明制备了表面光洁、不起皮、不开裂、均匀性好、强度高的生坯，其强度在20～40MPa，可直接进行机械加工，有效降低了后续加工成本；可一次烧结成瓷，成品率达100％，陶瓷性能优异，稳定性好，强度为800～1200MPa，断裂韧性为10～20MPa·m1/2，较干压成型陶瓷强度平均为550MPa，断裂韧性平均为8MPa·m1/2，其性能有了很大提高。

本发明公开了一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷及其制备方法，该复相陶瓷中的Co3O4吸波剂以颗粒状在Al2SiO5陶瓷纤维板中，分散均匀，有利于提高该材料的吸波性能；其中的Co3O4吸波剂对电磁波兼具介电损耗和磁性损耗；Co3O4颗粒的表面包覆有一层Co单质界面层，该复相陶瓷材料密度低，耐高温性能好。该制备方法采用浸渍法将吸波剂原料引入到多孔陶瓷内部，所得Co3O4/Al2SiO5复相陶瓷中吸波剂能够均匀分散，有利于提高材料的吸波性能；选用的多孔Al2SiO5陶瓷纤维板作为基体材料，具有耐高温、低密度的特点，制备过程中Al2SiO5陶瓷纤维板基体的形状、尺寸保持不变，且复相陶瓷保持较低的密度；本方法整个制备工艺步骤简单、周期短、易于操作、重复性好。

本发明公开了一种一步法制备MgO‑Nd2Zr2O7型复相陶瓷惰性燃料基材的方法，包括：将含有镁元素、钕元素和锆元素的原料混合，加入粘结剂，陈化，经过成型，成型后的样品排塑，然后直接采用固相反应一步法烧结制得MgO‑Nd2Zr2O7型复相陶瓷惰性燃料基材。本发明采用“一步法”制备MgO‑Nd2Zr2O7型复相陶瓷惰性燃料基材，摒弃了以往先合成再复合的制备思路，实现了合成和烧结一体化，减少了以往该复相陶瓷制备周期长、工序繁杂的不足，提供了一种简便且高效节能的制备方法。在高温烧结过程中原料Nd2O3与ZrO2反应生成Nd2Zr2O7，而MgO不参与反应生成新物质，并直接和生成的Nd2Zr2O7烧绿石共同形成致密的MgO‑Nd2Zr2O7型复相陶瓷。具有制备速度快、生产周期短、制备的复相陶瓷致密度高、工艺简单等优点。

本发明属于非氧化物陶瓷基复合材料技术领域，公开了一种晶须增韧高熵碳化物陶瓷及其制备方法和应用。该方法是将高熵碳化物(Ti0.2Zr0.2Nb0.2Ta0.2Mo0.2)C粉体和碳化硅晶须混合后加入Co，制得(Ti0.2Zr0.2Nb0.2Ta0.2Mo0.2)C‑SiCw‑Co混合粉体，压成坯体后在1450～1650℃，压力为30～40MPa，采用放电等离子烧结或热压烧结工艺，制得晶须增韧高熵碳化物复相陶瓷，该复相陶瓷具有更高的断裂韧性和更低的致密化温度；其相对密度大于96％，维氏硬度为22～25GPa，断裂韧性为5～7MPa·m1/2，可应用在制备切削难加工材料或航空航天耐磨零部件中。

一种碳化硅晶须-氧化铝亚微米颗粒多尺度改性ZrC-SiC复相陶瓷粉体的制备方法，将碳源溶液、硅溶胶、八水氯氧化锆、硫酸铝均匀混合并用矿化剂进行调控使其实现溶胶向凝胶转变，将凝胶置于低温环境下进行干燥以实现多孔化，干燥后在800℃～1000℃下进行碳化，最后在1400℃～1600℃下热处理即可。本发明具有工艺简单，制备周期短，成本低等优点且该方法具有产物产量高、结构明显等优点。本发明制备的制备SiCNW-SiC-ZrC-Al2O3复相陶瓷粉体有利于实现对基体的全温域的保护作用，同时所制备的复合材料中SiC纳米晶须提高了材料的强度，增强了材料的抗高温性能。

本发明公开了一种B4C‑TiB2导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有包覆型显微结构的，其中TiB2的体积含量为10‑30％。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和无定形B粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷，烧结温度为2000℃，压力为50MPa，保温时间为5‑20min。本发明构筑了TiB2小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，有利导电网络的形成和完善。在相同TiB2含量下，本发明制备的B4C‑TiB2复相陶瓷具有更高的电导率。本发明制备过程简单，无需任何其它特殊复杂方法。与传统方法相比，本发明所制备的B4C‑TiB2复相陶瓷的力学性能相当或更优。