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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201810058728.8 | 专利名称: | 制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法 |
申请日: | 2018-01-22 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | C04B35/80 分类检索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
浏览量: | 4 | 所属领域: | 复合材料专利转让搜索 |
应用场景:航空航天部件轻量化设计;高温耐磨机械零件制造;核能设备防护层构建;新能源装置热管理组件生产;高端装备耐腐蚀性表面强化
摘 要:本发明公开了一种制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法。该方法以酚醛树脂为反应体系的单一碳源,同时采用酚醛树脂为包覆碳源,对SiC纳米线进行表面改性,形成碳包覆SiC纳米线,它均匀分散在SiC陶瓷预制体之中,然后通过反应烧结制备成碳化硅纳米纤维增强SiC陶瓷基复合材料。本发明采用SiC纳米线作为增强体通过反应烧结原理制备陶瓷基复合材料,有效的改善了纳米纤维与基体的结合界面,实现有效增加增韧;避免了已报道反应烧结导致碳化硅晶须/纳米线参与反应或长大问题;避免了原位生长纳米线的生长不均匀和与基体界面结合效果不好,不致密问题。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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