发明专利已授权

制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法

📄 申请号：CN201810058728.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-01-22

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_80

IPC 分类号

技术画像

所属领域

陶瓷基复合材料陶瓷基复合材料碳化硅陶瓷纳米增强材料

应用场景

航空航天, 高温结构部件, 耐磨装备, 装甲防护

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摘要

本发明公开了一种制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法。该方法以酚醛树脂为反应体系的单一碳源，同时采用酚醛树脂为包覆碳源，对SiC纳米线进行表面改性，形成碳包覆SiC纳米线，它均匀分散在SiC陶瓷预制体之中，然后通过反应烧结制备成碳化硅纳米纤维增强SiC陶瓷基复合材料。本发明采用SiC纳米线作为增强体通过反应烧结原理制备陶瓷基复合材料，有效的改善了纳米纤维与基体的结合界面，实现有效增加增韧；避免了已报道反应烧结导致碳化硅晶须/纳米线参与反应或长大问题；避免了原位生长纳米线的生长不均匀和与基体界面结合效果不好，不致密问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种开放体系SiC纳米线的制备方法

当前第 / 件

一种制备碳化硅纳米线/海藻酸复合纤维的纺丝方法

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