发明专利已授权

一种开放体系SiC纳米线的制备方法

Name: 一种开放体系SiC纳米线的制备方法
Brand: 浙江理工大学
SKU: 2017105509308
Availability: InStock

📄 申请号：CN201710550930.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-07-07

公开号

CN107200331B

公开日

2019-03-05

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B32_984

IPC 分类号

C01B32_984 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米线纳米材料碳化硅材料材料制备工艺纳米线

应用场景

半导体器件, 复合材料增强, 纳米电子学, 高温结构材料, 传感器

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摘要

本发明公开了一种开放体系SiC纳米线的制备方法。将盛有金属硅粉的石英坩埚放入管式炉中间区域，并在管式炉的低温段铺设石墨纸；根据反应所需要的温度来设定管式炉的升温程序，根据液态碳源注射量的多少来设定反应保温时间；当温度达到反应所需要的温度时，开启液态碳源的数字注射泵，将碳源注入管式炉内，液态碳源通过高温裂解气化得到碳源，再通过氩气输送至管式炉反应段进行碳热还原反应；待液态碳源注射结束后，开始启动降温程序降至常温，在石墨纸上沉积有SiC纳米线。本发明首次采用乙醇或丙醇为碳源，硅粉为硅源，在开放体系中制备SiC纳米线。相比于背景技术，具有低能源消耗，工艺简单，无需催化剂和连续制备等优点。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190305

✅ 授权

20171027

?? 实质审查的生效：

20170926

📄 公开

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