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摘 要:本发明涉及一种紫外探测器,具体是指一种基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型6H‑SiC衬底上沉积一层β‑Ga2O3薄膜,然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型6H‑SiC衬底和β‑Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是:所制备的日盲型紫外探测器性能稳定,反应灵敏,暗电流小,具有好的潜在应用;另外,该制备方法具有工艺可控性强,操作简单,普适性好,且重复测试具有可恢复性等特点,具有很大的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610157070.7 | 专利名称: | 基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 |
申请日: | 2016-03-18 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/109搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |