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发明专利 已授权

基于β-Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法

📄 申请号：CN201610157070.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日
2016-03-18
申请人
浙江理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L31_109
IPC 分类号

技术画像

所属领域

紫外探测器 半导体器件 紫外光电探测器 异质结薄膜 紫外探测器

应用场景

日盲紫外探测, 火焰探测, 紫外通信, 环境监测, 光电检测
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摘要

本发明涉及一种紫外探测器，具体是指一种基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型6H‑SiC衬底上沉积一层β‑Ga2O3薄膜，然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型6H‑SiC衬底和β‑Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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