发明专利已授权

一种多晶硅熔丝结构的制造方法

📄 申请号：CN201811028941.0 📄 发布日：2026/04/24

著录项目信息

申请日

2016-12-02

申请人

乐清市风杰电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_525

IPC 分类号

技术画像

所属领域

半导体制造工艺半导体制造工艺集成电路多晶硅薄膜

应用场景

集成电路制造, 半导体器件, 芯片制造, 电子设备, 存储器件

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摘要

本发明提供了一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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