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摘 要:本发明涉及集成芯片领域,公开了一种集成有波导的低维材料异质结光电探测器,包括:衬底(1),形成于衬底(1)上的光波导(2),设置在光波导(2)的光耦合输入端(3)的1×2光分束器(4),覆盖在光波导(2)表面上的低维材料异质结薄膜(5),在低维材料异质结薄膜(5)两端、光波导(2)两侧还分别覆盖正电极(6)和负电极(7);低维材料异质结薄膜(5)与光波导(2)的传输方向垂直设置;在光波导(2)与低维材料异质结薄膜(5)的相互作用区,光波导(2)为两个锥型波导结构相对设置的结构。通过本方法制备的光电探测器能够探测出高功率和多波段的光信号,响应度较高,光‑电响应带宽较大。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010053655.0 | 专利名称: | 集成有波导的低维材料异质结光电探测器及其制备方法 |
申请日: | 2020-01-17 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/109搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 25000.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |