发明专利 已授权

一种添加碳化硅的高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法

📄 申请号:CN202211346553.3 📄 发布日:2026/11/10

著录项目信息

申请日
2022-10-31
公开号
CN115650733B
公开日
2024-01-16
申请人
洛阳理工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电子封装, 功率器件散热, 半导体器件, LED散热, 新能源汽车

摘要

本发明涉及一种添加碳化硅的高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法,将粉末粒度均≤1μm的氮化硅粉末、氧化镁粉末、稀土氧化物粉末和碳化硅粉末依次加入球磨机中,添加成型剂,以无水乙醇为介质球磨混合10~20h,经过喷雾造粒、致密化成型、高温脱胶和高温及高压氮气气氛压力烧结,得到高热导率的氮化硅陶瓷材料。本发明掺杂组分碳化硅在高温和高压氮气作用下Si‑C键被Si‑N键取代,释放碳元素,进而与体系中的氧发生还原反应,降低体系氧含量;同时碳化硅转化为主相氮化硅,不会向体系中引入额外杂质成分,有效提高氮化硅陶瓷材料的热导率,且碳化硅粉末为成熟的工业化产品,化学性能稳定,容易获得,价格低廉。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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