发明专利 已授权

掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法

📄 申请号:CN202110547013.0 📄 发布日:2026/11/03

著录项目信息

申请日
2021-05-19
公开号
CN113270481B
公开日
2022-10-25
申请人
济南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电力电子, 电源管理, 电机驱动, 新能源汽车, 工业自动化

摘要

本发明公开了一种掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法,包括:半导体衬底,以及位于半导体衬底表面的漂移区;所述漂移区与半导体衬底之间的边界为圆弧;在所述漂移区全部区域或者设定的部分区域内,其各位置的掺杂浓度处于到之间,其中,Ec为漂移区材料的临界击穿电场强度,ε0为真空介电常数,εr为漂移区材料的相对介电常数,q为单位电荷量,R为相应位置到所述圆弧所在圆心的距离。本发明通过将器件的掺杂浓度渐变,会使器件的电场集中效应对电场的影响与漂移区空间电荷区对电场的影响相互抵消,从而使器件获得极佳的耐压能力。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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