发明专利已授权

一种氮化镓功率器件及其制备方法

Name: 一种氮化镓功率器件及其制备方法
Brand: 济南大学
SKU: 2021105456275
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110545627.5 📄 发布日：2026/11/03

著录项目信息

申请日

2021-05-19

公开号

CN113270480A

公开日

2021-08-17

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_40 , H01L29_778 , H01L29_872 , H01L21_335 , H01L21_329 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料功率半导体器件氮化镓器件

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 消费电子, 数据中心, 储能系统

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摘要

本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，包括：半导体衬底，设置在半导体衬底上方的缓冲介质层，缓冲介质层上方设有漂移区氮化镓层；所述漂移区氮化镓层的全部区域或设定部分区域内的厚度沿器件耐压状态下低电位电极到高电位电极的方向逐渐增加，从而使衬底产生的场板效果符合电场优化需求。本发明结构中漂移区氮化镓层厚度在水平方向上沿电位升高的方向不断增大，从而增大低电位处的场板作用，降低高电位处的场板作用，从而使器件获得更好的电场调制效果，增加器件的耐压能力。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN113270480A

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法

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