发明专利已授权

大面积双面硅漂移探测器的加工工艺

Name: 大面积双面硅漂移探测器的加工工艺
Brand: 李正; 刘曼文
SKU: 2019104308052
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910430805.2 📄 发布日：2026/10/23

著录项目信息

申请日

2019-05-22

公开号

CN110265511A

公开日

2019-09-20

申请人

李正; 刘曼文

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_101 ,

技术画像

所属领域

半导体探测器半导体探测器半导体加工工艺硅微加工

应用场景

X射线光谱分析, 核辐射探测, 粒子物理实验, 医疗影像, 空间探测

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摘要

本发明公开了一种大面积双面硅漂移探测器的加工工艺，属于半导体探测器加工技术领域。在制作大面积SDD时按八个步骤进行，包括晶圆吸杂氧化、双面标记制作、正反面P型注入刻蚀、N型阳极注入刻蚀、注入完成后退火、正反面注入区域氧化层全刻蚀、正反面电极制作、快速退火；八个步骤依次进行，最终制得所需要的大面积SDD。本发明能够在大面积双面SDD制作的同时，实现提高晶圆氧化的质量、正反两面的对准精度以及大幅降低引入杂质风险的目的。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110265511A

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法

当前第 / 件

一种五金管件切割用操作台

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