发明专利已授权

双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法

Name: 双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法
Brand: 湖南正芯微电子探测器有限公司
SKU: 2019102554955
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910255495.5 📄 发布日：2026/10/23

著录项目信息

申请日

2019-04-01

公开号

CN109873049B

公开日

2024-01-05

申请人

湖南正芯微电子探测器有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_115

IPC 分类号

H01L31_115 , H01L31_0352 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

半导体探测器半导体探测器硅漂移探测器半导体器件制备工艺

应用场景

X射线探测, 粒子探测, 辐射检测, X射线能谱分析, 医学成像

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摘要

本发明公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法，渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上；渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极，第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成；渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环，第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。通过吸杂氧化工艺在N型高阻硅晶片表面生成二氧化硅层，将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行各部件的刻蚀和离子注入、激活，最后探测器的损伤进行修复。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN109873049B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种用于拉索桥的具有松紧度调节功能的检测装置

当前第 / 件

大面积双面硅漂移探测器的加工工艺

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