本实用新型提供了一种二维位置分辨硅探测器，包括基底，正面阴极环嵌入于基底正面，正面阴极环上方镀有正面铝层；阳极嵌入于基底反面，阳极远离基底的一面镀有反面铝层；二氧化硅层填充于正面铝层之间以及反面铝层之间；所述正面铝层上设置有正面探测信号输出点；所述反面铝层上设置有反面探测信号输出点。解决了现有技术中存在的探测信号引出点多，封装工作量和难度大，产品合格率低等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022211367724
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-05-11
本实用新型提供了一种扇形硅漂移探测器，包括基底，基底的上表面为收集面，基底的下表面为入射面；收集面的中心是收集阳极，以收集阳极为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环、收集面内环加压环，收集面内环加压环、收集阳极、收集面漂浮阴极环之间同心；收集面内环加压环外围设置有扇形单元，扇形单元之间设有表面电子排出通道；扇形单元外侧设置有环形保护阳极；入射面包括入射面窗口、入射面阴极加压环和入射面保护环，入射面阴极加压环内部为入射窗口，入射面阴极加压环外侧为入射面保护环。解决了现有技术中存在的表面漏电流会被阳极收集、对于不同角度的扇形结构无法实现拼接等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022211187859
📂 H01L31_115
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-05-10
本实用新型提供了一种多段式阳极等间距分布的硅漂移室探测器，包括高阻硅衬底，中心收集阳极嵌入于高阻硅衬底正面中心，由中心收集阳极向外依次等间距分布有中间位置收集阳极环、最外收集阳极环；阴极环位于中心收集阳极与最外收集阳极环之间且中间位置收集阳极环将阴极环分隔为内外两部分；中心阳极保护环位于中心收集阳极外和最内圈的阴极环之间，正面保护环位于最外收集阳极环外；中心阳极保护环和正面保护环均环绕中心收集阳极同心分布；高阻硅衬底反面为粒子入射窗口。本实用新型探测器的电子漂移路径短，探测器电容小，具有较高的电子收集效率，能够达到最佳分辨率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2022210272604
📂 H01L31_115
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-04-28
本实用新型公开了一种螺旋线性硅漂移探测器，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本实用新型能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2021221535168
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本实用新型公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020214728655
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明提供了一种像素型硅漂移探测器，由像素单元阵列而成；所述像素单元包括中间收集电极、第一阴极环、第二阴极环、基体和反面入射窗口；所述中间收集电极为阳极，掺杂于基体顶部中心位置；第一阴极环和第二阴极环为阴极，掺杂于基体顶部，第一阴极环和第二阴极环沿相反方向环绕中间收集电极分布；反面入射窗口的电极为阴极，掺杂于基体底部；所述阳极和阴极上面均镀有铝膜；每个像素单元之间的第一阴极环之间相连，第二阴极环之间相连。本发明提供的探测器阳极电容小，功耗小，可以测量0.5到15keV之间的x射线，具有几微秒的时间分辨率和快速读出的特点，无死区，对低能量光子具有良好的探测器量子效率。
📄 202210456171X
📂 H10F39_12
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-04-27
本发明公开了一种S形硅漂移探测器及其设计方法，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本发明能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。
📄 202111043437X
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本发明公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。
📄 2020107182754
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列。减小了探测器的有效工作面积，保证探测器低电容的优势。
📄 2020107168371
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明公开了一种方形盒状三维探测器及其制备方法，探测器由数个探测单元排列而成，探测单元包括底部的芯片基底，芯片基底上固定有壳形电极，壳形电极包括底面和侧壁，壳形电极内部填充有探测基体，探测基体顶部中间镶嵌有中央收集电极，中央收集电极与壳形电极顶部附有金属层，探测基体顶部附有氧化层；探测器的制备包括以下步骤：清洗、氧化、刻蚀芯片基底，离子注入壳形电极底面，生长硅探测基体，刻蚀沟槽，扩散形成壳形电极侧壁，离子注入中央收集电极，附着金属层和氧化层，退火和封装；探测器的位置分辨率、能量分辨率和电荷收集效率提高，探测器的全耗尽电压低，能够使用电池进行驱动，携带方便，且能够双面检测入射粒子，工作效率高。
📄 2019102554508
📂 H01L25_04
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2019-04-01
本发明公开了一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法，包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片，方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布，且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环环绕螺旋阴极分布；基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环，入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内，反面电极极性为阴极。先依据方形螺旋硅漂移探测器的结构设计制备掩膜板，依次经过匀胶、烘干、对准相应掩膜板、曝光、显影、检查、后烘，利用光刻胶覆盖无需刻蚀部位，并进行刻蚀，然后注入相应离子，制得N+收集阳极、方形螺旋阴极、反面保护环、入射窗口、正面保护环和反面电极，最后对电极进行镀铝。
📄 2019102554175
📂 H01L31_0352
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2019-04-01
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