本发明公开了一种大面积双面硅漂移探测器的加工工艺，属于半导体探测器加工技术领域。在制作大面积SDD时按八个步骤进行，包括晶圆吸杂氧化、双面标记制作、正反面P型注入刻蚀、N型阳极注入刻蚀、注入完成后退火、正反面注入区域氧化层全刻蚀、正反面电极制作、快速退火；八个步骤依次进行，最终制得所需要的大面积SDD。本发明能够在大面积双面SDD制作的同时，实现提高晶圆氧化的质量、正反两面的对准精度以及大幅降低引入杂质风险的目的。
📄 2019104308052
📂 H01L31_18
👤 李正; 刘曼文
📅 2019-05-22
本发明公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法，渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上；渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极，第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成；渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环，第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。通过吸杂氧化工艺在N型高阻硅晶片表面生成二氧化硅层，将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行各部件的刻蚀和离子注入、激活，最后探测器的损伤进行修复。
📄 2019102554955
📂 H01L31_115
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2019-04-01
本发明提供了一种像素型硅漂移探测器，由像素单元阵列而成；所述像素单元包括中间收集电极、第一阴极环、第二阴极环、基体和反面入射窗口；所述中间收集电极为阳极，掺杂于基体顶部中心位置；第一阴极环和第二阴极环为阴极，掺杂于基体顶部，第一阴极环和第二阴极环沿相反方向环绕中间收集电极分布；反面入射窗口的电极为阴极，掺杂于基体底部；所述阳极和阴极上面均镀有铝膜；每个像素单元之间的第一阴极环之间相连，第二阴极环之间相连。本发明提供的探测器阳极电容小，功耗小，可以测量0.5到15keV之间的x射线，具有几微秒的时间分辨率和快速读出的特点，无死区，对低能量光子具有良好的探测器量子效率。
📄 202210456171X
📂 H10F39_12
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2022-04-27
本发明公开了一种S形硅漂移探测器及其设计方法，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本发明能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。
📄 202111043437X
📂 H01L31_0224
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2021-09-07
本发明公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。
📄 2020107182754
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列。减小了探测器的有效工作面积，保证探测器低电容的优势。
📄 2020107168371
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器，梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体，硅基体顶面生成有二氧化硅层，二氧化硅层内刻蚀有P+阴极，硅基体的底面刻蚀有n+阳极；P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成，第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成，两者的L型阴极相距一定距离相对设置，两者的多个条型阴极相互平行交叉设置，且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接，其条型阴极不与第二梳状阴极的L型阴极连接。实现了硅像素探测器的空间二维位置分辨，分辨率高、工艺简单。
📄 2020107183085
📂 H01L27_146
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2020-07-23
本发明公开了一种方形盒状三维探测器及其制备方法，探测器由数个探测单元排列而成，探测单元包括底部的芯片基底，芯片基底上固定有壳形电极，壳形电极包括底面和侧壁，壳形电极内部填充有探测基体，探测基体顶部中间镶嵌有中央收集电极，中央收集电极与壳形电极顶部附有金属层，探测基体顶部附有氧化层；探测器的制备包括以下步骤：清洗、氧化、刻蚀芯片基底，离子注入壳形电极底面，生长硅探测基体，刻蚀沟槽，扩散形成壳形电极侧壁，离子注入中央收集电极，附着金属层和氧化层，退火和封装；探测器的位置分辨率、能量分辨率和电荷收集效率提高，探测器的全耗尽电压低，能够使用电池进行驱动，携带方便，且能够双面检测入射粒子，工作效率高。
📄 2019102554508
📂 H01L25_04
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2019-04-01
本发明公开了一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法，包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片，方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布，且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环环绕螺旋阴极分布；基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环，入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内，反面电极极性为阴极。先依据方形螺旋硅漂移探测器的结构设计制备掩膜板，依次经过匀胶、烘干、对准相应掩膜板、曝光、显影、检查、后烘，利用光刻胶覆盖无需刻蚀部位，并进行刻蚀，然后注入相应离子，制得N+收集阳极、方形螺旋阴极、反面保护环、入射窗口、正面保护环和反面电极，最后对电极进行镀铝。
📄 2019102554175
📂 H01L31_0352
👤 湖南正芯微电子探测器有限公司
📅 2019-04-01
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