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方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法

Name: 方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法
Brand: 湖南正芯微电子探测器有限公司
SKU: 2019102554175
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910255417.5 📄 发布日：2026/09/11

著录项目信息

申请日

2019-04-01

公开号

CN110350044B

公开日

2024-04-19

申请人

湖南正芯微电子探测器有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_115 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

半导体探测器半导体探测器硅漂移探测器半导体器件制备

应用场景

X射线光谱分析, 医疗成像, 工业无损检测, 核辐射监测, 空间探测

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摘要

本发明公开了一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法，包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片，方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布，且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环环绕螺旋阴极分布；基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环，入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内，反面电极极性为阴极。先依据方形螺旋硅漂移探测器的结构设计制备掩膜板，依次经过匀胶、烘干、对准相应掩膜板、曝光、显影、检查、后烘，利用光刻胶覆盖无需刻蚀部位，并进行刻蚀，然后注入相应离子，制得N+收集阳极、方形螺旋阴极、反面保护环、入射窗口、正面保护环和反面电极，最后对电极进行镀铝。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110350044B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法

当前第 / 件

方形盒状三维探测器及其制备方法

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