发明专利已授权

一种氮化硅陶瓷基板素坯的制备方法

📄 申请号：CN202210568487.8 📄 发布日：2026/08/07

著录项目信息

申请日

2022-05-23

公开号

CN114751754B

公开日

2023-01-31

申请人

江苏方达正塬电子材料科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_584

IPC 分类号

C04B35_584 , C04B35_622 , C04B35_626 ,

技术画像

所属领域

氮化硅陶瓷先进陶瓷材料陶瓷基板陶瓷成型工艺氮化硅陶瓷

应用场景

功率半导体模块, 新能源汽车, 电子封装基板, 散热基板

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摘要

本发明提供氮化硅陶瓷基板素坯的制备方法，包括以下步骤：S1：将市售α‑Si3N4粉体以及稀土氧化物进行预处理；S2：制备微纳浆料：N2保护下分别将经预处理的市售α‑Si3N4粉体、稀土氧化物按比例混合在混料器中充分混匀，生成S0；在市售分散剂中加入聚硅氧烷生成L1，将非水系增塑剂和湿润剂混合成L2；将非水系粘结剂和有机溶剂在N2保护下充分搅拌溶解制成液态溶液L3；将S0、L1、L2和L3混合、砂磨制成微纳浆料J0，S3：制备流延片；S4：制备素坯；S5：制备氮化硅基板毛板测量性能，本发明制得的素坯制得的基板毛板测量热导率都在85W/(m·K)以上，较现有技术中制得的氮化硅基板的热导率都有得到了显著的提升，测量的断裂韧性都在6.5MPa/m2以上。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种陶瓷浆料自动化生产线

当前第 / 件

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