发明专利已授权

一种硅表面钝化层的制备方法

📄 申请号：CN202110185158.0 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2021-02-10

公开号

CN112928185B

公开日

2023-10-20

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_0216 , H01L31_068 , C23C16_40 , C23C16_455 ,

技术画像

所属领域

半导体工艺半导体工艺薄膜沉积技术表面钝化技术

应用场景

半导体器件, 集成电路, 太阳能电池, 光电器件, 功率器件

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摘要

本发明公开了一种硅表面钝化层的制备方法，所述方法为：将硅片清洗除杂后，浸入体积浓度10％HF水溶液中；再在N2环境下进行烘烤干燥，获得干燥后的硅片；将干燥后的硅片浸入体积浓度10‑50％HF水溶液中进行表面基团处理，去离子水清洗，获得F基化的硅片；将F基化的硅片放入原子层沉积设备中，在60‑180℃下交替通入TiCl4和H2O，重复循环，在硅片正反表面制备TiOx薄膜层，即为钝化层。本发明实现了高少数载流子寿命的硅表面钝化，避免了传统钝化膜制备中的高温工艺，制备的TiOx钝化硅片少子寿命可直接达到1.5‑1.8ms，较目前已报道的经退火TiOx钝化膜的少子寿命提升约30％。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

具有等效扰动补偿的1/2幂次吸引重复控制方法

当前第 / 件

一种基于层次状态机的多种文化活动空间变换方法

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