本发明公开了一种汽车厚膜陶瓷基板耐腐蚀复合涂层及其制备方法，所述的复合涂层为SnO2/TiC复合涂层，所述的复合涂层在厚膜陶瓷基板表面由表层至外层依次为SnO2涂层、TiC涂层；采用化学气相沉积法，依次在预处理后的厚膜陶瓷基板表面沉积SnO2涂层、TiC涂层，沉积参数完全一致。本发明所提出的SnO2/TiC复合涂层汽车厚膜陶瓷基板表面的复合涂层厚度均匀，孔隙率低，不改变基板原有导电性能，抗腐蚀性能达到97～99％。
📄 201911411628X
📂 C23C16_40
👤 江苏师范大学
📅 2019-12-31
一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，薄膜组分如下式所示：α‑Ga2O3:x％ZnS，0.01≤x≤0.5；将C15H21O6Ga、C2H6Zn、CH4S溶于去离子水中配成前驱体溶液，加入盐酸溶液；将蓝宝石衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗，用氮气吹干后在管式炉中退火；将蓝宝石衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氮气；将前驱体溶液放置于雾化罐中，反应温度为300‑400℃，将氮气作为载气，将雾化罐中的雾滴送进反应腔内进行沉积得薄膜初品；将薄膜初品放入管式炉中退火后得到薄膜。该方法不仅能降低薄膜的生长温度，还能提高了薄膜的自由电子浓度和电导率。
📄 2021102681924
📂 C23C16_40
👤 山东国镓晶谷半导体科技有限公司
📅 2021-03-12
一种通过磁场控制α‑Ga2O3掺杂浓度的薄膜沉积系统及方法，薄膜化学式为Ga(2‑x)R为xRO33+，掺0.杂02G≤a3x+≤位0的.2原0，子x百分含量，R为Fe、Co、Ni中的一种；该系统包括电磁铁、液位控制装置、反应腔、雾化装置、尾气处理装置，电磁铁固定在反应腔右端，液位控制装置与雾化装置相连，反应腔内放置有衬底，反应腔一端与雾化装置连通、另一端与尾气处理装置连通；雾化装置内盛放有前驱体溶液，雾化装置顶端通过载气控制系统与载气瓶相连。本发明通过加装电磁铁，使掺杂的磁性粒子吸附至反应腔体右端，通过控制电磁铁功率来控制沉积在衬底上的磁性离子浓度，实现实时控制薄膜中的掺杂浓度。
📄 2021102705740
📂 C23C16_40
👤 江苏师范大学
📅 2021-03-12
一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
📄 2017105793164
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜的气体脉冲序列，由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，在一个生长周期中，各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12，有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量，有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量，在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后，都具有一个惰性气体脉冲；在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处，都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
📄 2017105792763
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
一种用于制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列，由铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，所述气体脉冲序列通入真空反应腔中；化学吸附反应在真空反应腔中进行，铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲按照一定的次序依次通入真空反应腔中。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
📄 2017105792602
📂 C23C16_40
👤 南通大学
📅 2015-11-11
一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiAlO3薄膜材料的方法，BiAlO3薄膜材料生长在衬底材料上，所述的BiAlO3薄膜材料的空间群为R3c，晶格常数为a=7.611？，c=7.942？；采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiAlO3薄膜材料的方法，可以实现BiAlO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiAlO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
📄 2015107672786
📂 C23C16_40
👤 南通大学; 史敏
📅 2015-11-11
一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用铝镓有机源脉冲混插式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
📄 2015107667082
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
前驱体时间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626Å，b=5.081Å，c=10.339Å，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
📄 2015107664008
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
📄 2015107663999
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
一种制备组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
📄 2015107645030
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
本发明公开了一种气相沉积装置及氧化亚硅的制备方法，气相沉积装置，包括炉体、设置于炉体内的加热腔室、设置于炉体外的沉积腔室，气相沉积装置还包括：进料机构、刮取机构、设置于炉体外的收集腔室，收集腔室包括第一阀门，第一阀门用于控制沉积腔室与收集腔室之间通道的开闭。本发明中的气相沉积装置，通过关闭收集腔室入口处的第一阀门，可在线将收集腔室收集到的沉积产物排出，使得气相沉积装置内的气相沉积反应可以连续在线进行，且出料时不影响气相沉积反应。本发明与现有技术相比，能实现连续生产，从而降低了能耗，提高了产能，提高了生产效率。且沉积比较充分，物料损失少，收集的产品具有较高的质量稳定性，能够满足市场大规模的需求。
📄 2018100591052
📂 C23C16_40
👤 新疆知信科技有限公司
📅 2018-01-22
柿子坊 · 知识产权运营
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