本发明公开了用于碱金属原子气室抗弛豫镀膜的均匀加热装置。现有装置很难保证气室所在环境中温度的均一性。本发明包括支架、翻转机构和传动机构。翻转机构包括外环翻转机构和内环翻转机构。外环翻转机构的外翻转环通过翻转电机带动翻转。翻转电机通过绕动直齿轮、锥形齿轮组带动内环翻转机构的内翻转环相对外翻转环进行翻转。翻转电机带动绕动直齿轮自转，同时绕动直齿轮沿固定直齿轮边沿公转。使用中将碱金属原子气室固定安装在内翻转环上，整体结构置于加热炉中。本发明通过两次齿轮连接，保证内外的两个翻转环相互垂直交错翻转，可以在镀膜气室加热时候提供均匀受热的环境，实现抗弛豫膜的均匀涂覆，保证碱金属原子气室的成膜质量。
📄 2020107044627
📂 C23C16_455
👤 浙江工业大学
📅 2020-07-21
本实用新型为一种真空离子镀膜用送气装置，涉及真空离子镀膜技术领域。技术特征包括混合腔结构，其具有进气口和出气口；所述进气口处连接有进气管道，所述进气管道与提供气体的气瓶连接；所述出气口处连接有出气管道，所述出气管道上设置多组支路管道；所述混合腔结构的进气口所在端还设置辅助加压机构，通过所述辅助加压机构向所述混合腔结构内施加气压以使所述混合腔结构的所述出气口端保持恒定送气气压。真空离子镀膜在将工作气体和反应气体输送至镀膜室中的过程中，以混合腔结构对气体进行预混合，使得气体混合充分均匀；并且辅助加压机构通过向混合腔结构施加气压，避免了由于气瓶内气体容量或气压过低而对镀膜质量带来的不利影响。
📄 2023224106163
📂 C23C16_455
👤 青岛制高点科技有限公司
📅 2023-09-06
本发明公开了一种ALD镀膜设备，包括进料装置、镀膜装置，所述进料装置包括升降液压缸、密封圆板，电机安装槽，电机，转轴，载料台，样品槽，弹簧，屏蔽罩，弹簧固定板，所述镀膜装置包括外腔体，内腔体，前躯体存储器，导管，匀气圆板，进气法兰，出气法兰，所述升降液压缸安装在外腔体底面，密封圆板固定在升降液压缸的活塞杆上，电机安装槽与密封圆板固定连接，电机固定在电机安装槽内部，电机转子通过联轴器与转轴相连，载料台固定在转轴上，所述前躯体存储器固定在外腔体侧面，进气法兰和出气法兰均安装在外腔体侧面，与外腔体和内腔体侧面的通孔相连。将待镀样品固定在样品槽内部，通过电机旋转依次对样品进行如下循环操作：通入前躯体A,吹扫氮气，通入前躯体B,吹扫氮气，整个镀膜过程高效有序。
📄 2021100018429
📂 C23C16_455
👤 中国计量大学
📅 2021-01-04
本发明揭示了一种快速测定时序式ALD前驱体临界脉冲宽度的方法，通过ALD制程沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用的时序式ALD制程的前驱体临界脉冲宽度；在该方法中，ALD前驱体气体脉冲宽度t可被控制地改变：前驱体A气体脉冲宽度t从短到长逐渐增大，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个前驱体A气体脉冲宽度t的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到每次薄膜质量增加量Δm与前驱体气体脉冲宽度t的函数关系，分析所得到的Δm与t的函数关系来确定所采用时序式ALD制程的ALD前驱体A临界脉冲宽度。整个测定过程只需要沉积一个薄膜样品即可测定前驱体临界脉冲宽度，所需消耗的前驱体也极大地减少，测试时间大大缩短。
📄 2017112226411
📂 C23C16_455
👤 南通大学
📅 2017-11-28
本发明揭示了一种快速测定时序式ALD制程的ALD-window的方法，通过时序式ALD工艺沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用工艺的ALD-window；在所述ALD-window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T可被控制地改变；在沉积薄膜样品所使用的ALD设备中，配置有用于实时监控ALD沉积得到的薄膜的质量m的QCM，在ALD-window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T从低温到高温逐渐升高，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个沉积温度下的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到Δm与T的函数关系，分析所述Δm与T的函数关系来确定所采用工艺的ALD-window。
📄 2017112222482
📂 C23C16_455
👤 南通大学
📅 2017-11-28
一种用于制备组分渐变的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的装置，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的装置制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
📄 2017105793179
📂 C23C16_455
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
本实用新型公开了一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，包括镀膜室、远程等离子体原子层沉积系统，所述镀膜室两侧分别设有收卷辊和放卷辊，所述镀膜室设有多个，且依次轴向相邻拼接密闭，所述镀膜室内设有导向辊，导向辊与收卷辊和放卷辊之间通过基材料带相连，每个镀膜室上方均设有远程等离子体原子层沉积系统，其等离子体发射端紧挨通过基材料带。本实用新型一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，通过针对镀膜室数量的灵活增设或减配，以此适配反应的循环次数来控制薄膜的厚度，其中装配后的每个镀膜室之间分别独立通气，每个腔体气压和气体组分可分别适当调整，有利于沉积出质量优良的薄膜。
📄 2022213664481
📂 C23C16_455
👤 浙江弘康半导体技术股份有限公司
📅 2022-06-02
本发明公开了一种观察组件及其MOCVD设备，包括，立板，立板底部与顶盖板装配固定、顶部与第一顶板装配固定，且立板侧面还分别与第二顶板、第三顶板、第四顶板装配固定，从而形成框架结构；第一顶板与油缸伸缩轴装配固定，第二顶板与第一顶板之间固定有升降电机，升降电机的升降输出轴穿过第二顶板后与升降驱动齿装配固定，升降驱动齿与升降中间齿啮合传动，升降中间齿与升降从动齿啮合传动，升降中间齿安装在升降中间轴上，升降中间轴两端分别与第二顶板、第三顶板可转动装配，升降从动齿设置在升降轴顶部；升降轴底部穿过第四顶板后与装配环可转动装配，装配环固定在顶盖板上，且升降轴与第四顶板通过螺纹旋合装配；第四顶板与观察柱顶部装配固定。
📄 2018110489972
📂 C23C16_455
👤 重庆懿熙品牌策划有限公司
📅 2018-09-10
本发明中公开了一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置及工艺，涉及光伏TOPCon电池片基片加工技术领域；具体包括壳体，所述壳体的内部设置有沉积腔，且沉积腔的外侧设置有控制薄膜沉积环境温度的加热环，所述壳体的顶部安装有端盖，且壳体的侧面安装有控制端盖开合的开合盖组件，所述端盖的底部设置有环形分布的换气腔，且端盖的顶部安装有控制换气的电磁阀。本发明中在扰流桨板和隔板的相对运行作用下，使得两股交汇气相呈螺旋状向上运动，气相均匀的击穿基片表面的氧化膜层，且多股受到加热环加热的气相同步、分散的进入装置，避免对基片表面造成热浪冲击形成沉积膜富集现象，进一步提高基片表面沉积薄膜厚度分布的均匀性。
📄 2023110917660
📂 C23C16_455
👤 浙江东渐产业控股集团有限公司
📅 2023-08-29
本发明公开了一种氮化硼刻蚀的方法；本发明采用压印法以表面有图案的聚二甲基硅氧烷(PDMS)模板为印章，将氧化石墨烯溶液转印到氮化硼薄膜表面，然后在硫化钼蒸气中在一定温度下保温一定时间，在氮化硼表面刻蚀出图案，完成PDMS表面的图案向氮化硼表面的转移。本发明通过二硫化钼蒸气催化分解氮化硼，降低了氮化硼光刻条件，方法简单、方便和可操作性强。
📄 2017100436531
📂 C23C16_455
👤 陕西方驰振科技有限公司
📅 2017-01-19
本发明技术方案公开了一种化学气相沉积工艺，包括：确定进行CVD反应时反应腔的设定压力；将气体排放管路上设置的排气阀打开至第一角度，所述第一角度为进行CVD工艺时排气阀打开的第二角度的10％～90％；在CVD反应腔内通入反应气体，至反应腔的压力达到设定压力；调整所述排气阀打开的角度至第二角度，所述角度可使反应腔内气体压力保持在设定压力；进行CVD工艺。所述工艺有效解决了气体排放管口处反应的副产物回灌问题。
📄 201810023526X
📂 C23C16_455
👤 德淮半导体有限公司
📅 2018-01-10
本发明属于半导体制备技术领域，尤其涉及一种半导体器件制备方法，包括以下步骤：步骤一：将处理装置与射频匹配器连通；步骤二：使多根能够通入不同成膜气体的管道与处理装置连接；步骤三：使用多根管道向处理装置内通入成膜气体；步骤四：使用处理装置对成膜气体进行均匀混合，并对成膜气体进行过筛；步骤五：从处理装置排出的成膜气体进入射频匹配器内，射频匹配器对成膜气体进行电离；步骤六：经过电离后的成膜气体沉积在晶圆上形成半导体，所述处理装置包括处理盒,处理盒内固接有连杆,连杆上转动连接有扇叶,处理盒内固接有滤板,处理盒上转动连接有转杆，能够在对气体进行混合过程中监测设备运行情况，及时发现设备故障。
📄 2023100789810
📂 C23C16_455
👤 赵君超
📅 2023-02-08
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台