发明专利已授权

基于整片晶圆的氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法

📄 申请号：CN202211508803.9 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2022-11-28

公开号

CN115881827B

公开日

2023-07-07

申请人

重庆理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_861

IPC 分类号

H01L29_861 , H01L29_06 , H01L23_31 , H01L21_34 , H01L23_29 , H01L29_45 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件宽禁带半导体异质结器件

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 充电桩, 光伏逆变器, 工业电源

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摘要

本发明公开了一种氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法，包括位于底部的阴极电极和位于顶部的阳极电极，以及位于阴极电极和阳极电极之间的半导体层，所述半导体层由底部至顶部包括n型高掺Ga2O3衬底层、n型低掺Ga2O3外延层以及p型NiO高掺层，其特征在于：所述半导体层的圆形外壁具有70～85°的正斜面，所述n型低掺Ga2O3外延层厚度为20μm以上。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种氧化镓pn异质结二极管

当前第 / 件

一种具有结晶性能的酰亚胺聚合物室温磷光材料及其制备方法和应用

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