发明专利已授权

一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法

📄 申请号：CN202111643636.4 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2021-12-30

公开号

CN114400266B

公开日

2023-12-01

申请人

淮阴工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_105

IPC 分类号

H01L31_105 , H01L31_101 , H01L31_0232 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

光电探测器光电探测器光电子集成半导体光电器件

应用场景

光通信, 光纤通信, 光电传感, 红外探测, 光谱检测

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摘要

本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法，形成于基底上水平方向依次设置的第一吸收有源区、第一光传输波导区、第二光传输波导区和第二吸收有源区；第一吸收有源区中，第一P+掺杂区与第一N+掺杂区之间通过所述第一本征I区电性连接；第二吸收有源区中，第二P+掺杂区与第二N+掺杂区之间通过第二本征I区电性连接；其中，第一N+掺杂区与第二N+掺杂区电性连接；第一P++掺杂区上设置有第一金属电极，第二P++掺杂区上设置有第二金属电极。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20231201

✅ 授权

20220513

?? 实质审查的生效：

20220426

📄 公开

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议价

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