发明专利已授权

一种中红外光探测器及其制备方法

📄 申请号：CN201910255738.5 📄 发布日：2026/07/28

著录项目信息

申请日

2019-04-01

公开号

CN110047957B

公开日

2021-03-30

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_101 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

光探测器光电子器件红外探测技术半导体光电器件光探测器

应用场景

光通信, 气体传感, 环境监测, 工业检测, 医疗诊断

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摘要

本发明揭示了一种中红外光探测器及其制备方法，该光探测器包括单晶硅衬底、绝缘层、连续的石墨烯层、量子点层以及覆盖量子点上的纳米光栅接触电极；所述单晶硅衬底、绝缘层、连续的石墨烯层、量子点层以及覆盖量子点上的纳米光栅接触电极均布设在一PVC衬底基片上。该器件由周期性的纳米光栅阵列构成，其对入射光束的耦合作用可以有效地改善石墨烯光电探测器件弱光吸收的缺点，且制备得到的光电探测器对中红外波段的光谱有明显的吸收，有较高的光响应率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210330

✅ 授权

20190816

?? 实质审查的生效：

20190723

📄 公开

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