发明专利已授权

降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法

📄 申请号：CN201310304068.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2013-07-18

公开号

CN103396115A

公开日

2013-11-20

申请人

陕西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_45

IPC 分类号

C04B35_45 , C04B35_50 , C04B35_622 ,

技术画像

所属领域

超导材料超导材料块材制备工艺稀土钡铜氧体系

应用场景

超导磁体, 磁悬浮, 储能系统, 科学研究

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摘要

一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded-Metal Oxides Melt Growth，简称TS-MOMG)方法制备单畴钆钡铜氧块材，将Gd2O3、无水BaO以及CuO三种金属氧化物，在高温状态下直接熔化反应，并在籽晶诱导下进行外延生长，完成单畴钆钡铜氧超导块材生长，整个熔化生长过程不需要烧结任何先驱粉体，在不降低超导块材性能的前提下，大大缩短了制备时间，简化了操作步骤，提高了超导块材的制备效率，降低了单畴超导块材的制备成本。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20141112

✅ 授权

20131218

?? 实质审查的生效：

20131120

📄 公开

一种低成本单畴GdBCO超导块材的制备方法

当前第 / 件

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