发明专利已授权

提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法

📄 申请号：CN201310304004.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2013-07-18

公开号

CN103361710A

公开日

2013-10-23

申请人

北京临界领域科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B1_10

IPC 分类号

C30B1_10 , C30B29_22 , C04B35_45 ,

技术画像

所属领域

高温超导材料高温超导材料晶体生长技术陶瓷材料制备

应用场景

超导磁体, 磁悬浮, 超导储能, 电力设备

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摘要

一种提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔渗生长工艺（Top Seeded Metal Oxide Infiltration and Growth，简称TS-MOIG）制备单畴钇钡铜氧块材，将金属氧化物（Y2O3、BaO、CuO）在高温状态下直接熔化反应，省去了传统方法必须制备Y2BaCuO5、YBa2Cu3O7-x和Ba3Cu5O8三种粉体的过程，简化了操作步骤，缩短了制备周期，降低了生产成本，大大提高了工作效率，避免了上述三种粉体在多次操作中混入杂质，且环境污染小。另外，该方法通过在先驱粉体中加入去离子水，克服了在烧制块材时容易产生裂纹的缺点。本发明所制备的单畴钇钡铜氧超导块材磁悬浮力大，同时适用于Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材的制备。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20160217

✅ 授权

20131218

?? 实质审查的生效：

20131023

📄 公开

降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法

当前第 / 件

简化制备单畴YBCO超导块材的方法

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