发明专利已授权

一种低成本单畴GdBCO超导块材的制备方法

📄 申请号：CN201310304070.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2013-07-18

公开号

CN103361711B

公开日

2015-10-28

申请人

北京临界领域科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B1_10

IPC 分类号

C30B1_10 , C30B29_22 , C04B35_45 ,

技术画像

所属领域

超导材料超导材料陶瓷材料制备块体材料

应用场景

超导磁体, 磁悬浮, 储能系统, 科学实验设备

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摘要

一种低成本单畴GdBCO超导块材的制备方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔渗生长工艺，以Gd2O3、BaO、CuO三种金属氧化物的混合粉作为固相先驱粉，以Y2O3、BaO、CuO的混合粉作为液相源粉，通过固相源和液相源在高温状态下熔渗反应，以及后续的慢降温热处理过程，实现在籽晶诱导下单畴GdBCO超导晶体的生长。使得整个生长过程不需要烧结任何先驱粉体，在不降低超导块材性能的前提下，大大缩短了制备时间，简化了制备过程，并提高了超导块材的制备效率，降低了成本。本发明可用于制备GdBCO超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法

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