发明专利已授权

一种CMOS SPAD光电器件的等效电路

Name: 一种CMOS SPAD光电器件的等效电路
Brand: 南京模数智芯微电子科技有限公司
SKU: 2019100163213
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910016321.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-01-08

公开号

CN109904273A

公开日

2019-06-18

申请人

南京模数智芯微电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_107

IPC 分类号

H01L31_107 , H01L31_0352 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

半导体光电器件半导体光电器件单光子探测等效电路模型

应用场景

激光雷达, 量子通信, 医学成像, 环境监测, 消费电子

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摘要

本发明请求保护一种CMOS SPAD器件的等效电路，主要包括P+/中心N阱结阻抗、器件内部两侧的P+/N阱结阻抗、中心N阱/P衬底结阻抗、焊盘阻抗等。在等效电路中加入电流源是为了模拟光生载流子在器件内部的运动情况，其中，P+/中心N阱结的阻抗可以分为倍增区阻抗和漂移区阻抗，Ra、La、Rl代表倍增区阻抗，Rd、Rs代表漂移区阻抗。由于倍增区的交流传导电流相对于交流电压有一个90°的相位延迟引起的，所以在倍增区中存在电感La元件；电容C代表P+/中心N阱的结电容。器件内部两侧的P+/N阱结阻抗采用电容Cp+/n‑well和电阻Rp+/n‑well串联的方式代替，在中心N阱/P衬底结阻抗中除了包括N阱区域电阻Rwell、和中心N阱/P衬底结电容Csub1，还加入了并联方式的电容Csub2和电阻Rsub。

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这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN109904273A

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240312

?? 专利权的转移：

20201124

✅ 授权

20190712

?? 实质审查的生效：

20190618

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：59 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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