发明专利已授权

一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法

📄 申请号：CN201910085681.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-01-29

公开号

CN109742178B

公开日

2020-07-17

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_109

IPC 分类号

H01L31_109 , H01L31_0224 , H01L31_0336 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

光电子器件光电子器件光探测器红外光学

应用场景

光电检测, 光学成像, 光通信, 环境监测, 安防监控

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摘要

本发明公开了一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法，该探测器由钝化层、上电极、异质结、下电极和本征单晶硅衬底组成。上电极为导电且对可见光和红外透明的材料。异质结分为异质结上层和异质结下层，异质结上层为对可见光敏感且能透过红外的纳米薄膜，异质结下层为本征单晶硅。当可见光和红外透过上电极和异质结上层，在异质结中可见光激发出电子空穴对，被上、下电极收集并通过纵向设置的金属柱流出，而红外穿过整个探测结构，实现对可见光探测的同时不影响红外的透过。与传统结构相比，电极与结区距离很小，可降低电子空穴对在到达电极之前的复合率，提高光生载流子的收集效率。纵向金属的结构设计减少光遮挡，提高了灵敏度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200717

✅ 授权

20190604

?? 实质审查的生效：

20190510

📄 公开

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