本发明公开了一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器及制备方法，包括硅衬底层、AlGaN缓冲层、n‑GaN层、n‑电极、有源层、p‑GaN层、p‑电极、以及在表面GaN刻蚀形成的光子晶体或在GaN表面生长制备的光子晶体层。本发明采用背面释放衬底并对Ⅲ‑Ⅴ族进行可控减薄的悬空结构，可以实现光场模式分布的调节及控制，从而优化得到在GaN表面光子晶体的高效耦合强度和在有源层的高耦合强度，利于低阈值激光器的实现。采用在GaN表面刻蚀形成光子晶体或在GaN表面生长制备光子晶体，方法工艺更加简便；同时未对有源层带来破坏，可以应用于电泵浦激光。
📄 2020104782624
📂 H01S5_183
👤 南京邮电大学
📅 2020-05-29
本发明公开了一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法，该探测器由钝化层、上电极、异质结、下电极和本征单晶硅衬底组成。上电极为导电且对可见光和红外透明的材料。异质结分为异质结上层和异质结下层，异质结上层为对可见光敏感且能透过红外的纳米薄膜，异质结下层为本征单晶硅。当可见光和红外透过上电极和异质结上层，在异质结中可见光激发出电子空穴对，被上、下电极收集并通过纵向设置的金属柱流出，而红外穿过整个探测结构，实现对可见光探测的同时不影响红外的透过。与传统结构相比，电极与结区距离很小，可降低电子空穴对在到达电极之前的复合率，提高光生载流子的收集效率。纵向金属的结构设计减少光遮挡，提高了灵敏度。
📄 2019100856819
📂 H01L31_109
👤 西安工业大学
📅 2019-01-29
本发明涉及具有多功能窗口的全天时成像探测器及其制备方法，该装置包括包括多功能窗口和探测部分，多功能窗口包括微透镜阵列、窗口本体和滤光片阵列；所述微透镜阵列集成在窗口本体的上表面，每个微透镜单元顶面均为球冠结构，球冠的俯视投影为正方形，相邻微透镜单元球冠俯视投影的正方形相接；所述滤光片阵列镀制在窗口本体的下表面；所述滤光片阵列包括四种滤光片，分别为三种单色可见光结合红外波段的带通滤光片和一种红外滤光片；所述探测部分由像素单元阵列构成，每个像素单元包括四种亚像素单元，四种亚像素单元与四种滤光片一一正对；本发明还介绍了微透镜阵列的制备方法、探测器的探测方法。本发明装置可以实现全天时探测。
📄 2019101625953
📂 H01L27_146
👤 西安工业大学
📅 2019-03-05
本发明实施例提供一种谐振增强型光探测器及其制备方法，谐振增强型光探测器包括：由下至上依次形成的第一亚波长光栅层、衬底、第一接触层、吸收层、第二接触层、光栅间隔层以及第二亚波长光栅层，所述第一接触层和所述第二接触层上分别形成有n型接触电极和p型接触电极。该光探测器具有高量子效率、高响应带宽、偏振敏感、可实现角度偏转、制作工艺简单的优点。
📄 2020106191224
📂 H01L31_0232
👤 聊城大学
📅 2020-06-30
本发明涉及光电测试技术领域，具体涉及一种可拼接类准直光幕光源装置及其拼接方法。本发明针对检测中如何形成大尺寸安全光幕以及光源准直性差的问题。所采用的技术方案包括鲍威尔棱镜支架、鲍威尔棱镜、点状激光器、菲涅尔透镜、上卡板、下卡板和光阑片；所述的光阑片设置于上卡板和下卡板之间，并可延下卡板左右移动，所述的菲涅尔透镜和鲍威尔棱镜分别设置于光阑片的前后两侧，并且菲涅尔透镜的焦点与鲍威尔棱镜的焦点重合，点状激光器设置于鲍威尔棱镜的前端，并且出射光线与鲍威尔棱镜的光轴重合，下卡板与上卡板将菲涅尔透镜、点状激光器、鲍威尔棱镜连接于一体。
📄 202111615129X
📂 G01P3_36
👤 西安金戈信息科技有限公司
📅 2021-12-27
本发明公开了一种基于古斯汉森位移的调控装置及调控方法，第一透镜与第二透镜均为聚焦透镜，且第一透镜与第二透镜共焦设置；第一透镜、第二透镜以及第一偏振镜沿激光器出射光源方向依次设置，且光源经过第一偏振镜之后进入棱镜；四分之一波片、半波片以及第二偏振镜沿棱镜反射之后的光源方向依次设置，且光源经过第二偏振镜之后进入所述图像传感器；电磁铁设置在所述棱镜上方和/或下方，且磁感应方向与棱镜的竖轴垂直；棱镜斜面贴合设置一维光子晶体；所述棱镜上方设有加热板；本发明的有益效果为实现了在磁场强度的环境下，利用弱测量放大的古斯汉森位移值来确定其温度；实现了在一定温度下通过放大后的古斯汉森位移来确定磁场强度。
📄 2020105715171
📂 G01B11_02
👤 成都信息工程大学
📅 2020-06-22
一种新型光电微环及新型光电探测器，涉及光电探测器领域。新型光电微环包括光导部和光吸收段。光导部延伸呈环状。光吸收段同光导部贴合，并沿光导部的延伸方向设置。光吸收段由光电效应材料制成，且光吸收段的长度为其中倏逝波耦合的周期长度的0.9n～1.1n倍。其中，n为正整数。其结构简单、设计巧妙，能够有效地提高对光场的响应度和灵敏度，对于进一步提高光电探测器的响应度和灵敏度具有积极意义。新型光电探测器采用上述新型光电微环，其具有更高的响应度和灵敏度，对于进一步提升光纤通信系统的整体效率具有积极意义。
📄 2020105749286
📂 H01L31_0232
👤 三明学院
📅 2020-06-22
本发明公开了一种内部光取出结构及其制备方法，包括：基板，设置于所述基板上的功能层，所述功能层包括金属纳米颗粒层，纳米填料层，和由聚合物组成的平坦化层。本发明所提供的金属纳米颗粒层具有一定的延展性，在水氧入侵时会吸收水氧并形成孔隙结构，不仅提高光取出的效果，增大有机电致发光器件的效率，而且具有很好的封装效果；而纳米填料层的存在又可以防止水氧进一步的扩散，这样的内部光取出结构不仅具有高提取效率，而且具有很好的阻水吸水作用。
📄 2023115001504
📂 H10K50_85
👤 河南工程学院
📅 2023-11-10
本申请公开了一种基于RCLED的传感器及制造方法，通过将金属孔阵列的微纳米结构阵列置于具有谐振腔的发光二极管表面，发光二极管发光经过谐振腔选模作用，形成具有较高Q值的腔模，同时，较高Q值的腔模与微纳米结构阵列相互作用，需通过外置光源驱动工作，就可以直接用于探测金属纳米孔阵周围折射率的微小变化，从而可以实现便捷的裸眼观测。
📄 2020108492796
📂 G01N21_25
👤 广东工业大学
📅 2020-08-21
本发明公开了一种量子点电吸收调制器及其制备方法，该电吸收调制器从下至上依次包括N接触电极层、InP衬底、InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层、多周期InAs量子点有源层、InGaAsP上分别限制层、InP间隔层、InP盖层、InGaAs接触层及P接触电极层。在InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层及多周期InAs量子点有源层的两侧分布InP半绝缘层，在InGaAsP上分别限制层、InP间隔层的两侧分布InP阻挡层，在P电极两侧分布BCB层。本发明的电吸收调制器能够在更低偏压下具有更大的消光比的同时，提高其带宽。
📄 2024119572434
📂 G02F1_017
👤 江苏师范大学
📅 2024-12-29
本发明公开了一种全光调制器及其制备方法。所述全光调制器包括：第一光纤、第二光纤和石墨烯薄膜；第一光纤为两端粗中间细的光纤段；第二光纤为两端粗中间细的光纤段环绕而成的两端不对接的光纤环；第一光纤的中间部分涂覆石墨烯薄膜；第一光纤的中间部分为直径由两端向中间逐渐减小的光纤段；第二光纤套设在第一光纤的中间；第一光纤的一端输入泵浦光，第二光纤的一端输入信号光，信号光的光功率小于泵浦光的光功率。本发明能够避免光电之间的转换，实现全光通信，极大地提高调制效率。
📄 2019114116631
📂 G02F1_01
👤 燕山大学
📅 2019-12-31
本发明公开了一种光电子器件、电路模块及带灯开关，包括：底座；光电子芯片，设置在所述底座上；导电引脚，所述底座设置有导向通道，所述导电引脚穿设在所述导向通道中，所述导电引脚与所述光电子芯片连接。在底座上设置有导向通道，导电引脚穿过导向通道与光电子芯片连接，由于导电引脚位于导向通道中的部分受到导向通道的限制作用，只能够沿导向通道的长度方向移动，因此当导电引脚受外力折弯时，作用力主要作用在底座形成导向通道的壁面上，光电子芯片受到作用力的影响很小。以此，实现导电引脚受力折弯时，降低光电子芯片损坏的效果，有利于提高可靠性。
📄 2021100500229
📂 H10H20_85
👤 郑华军
📅 2021-01-14
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