发明专利已授权

一种工作在可见光波段的高带宽CMOSAPD光电器件

📄 申请号：CN201910573499.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-06-28

公开号

CN110197859B

公开日

2020-12-01

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_107

IPC 分类号

H01L31_107 , H01L31_0352 ,

技术画像

所属领域

光电器件光电器件半导体器件光通信器件

应用场景

光通信, 可见光通信, 光电探测, 激光雷达, 成像

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摘要

本发明请求保护一种工作在可见光波段的高带宽CMOS APD光电器件，包括P衬底，其还包括堆积于所述P衬底上的两个深N阱，所述深N阱上堆积有两个P阱层，在每个P阱层上分别堆积有一个N+层和P+层，将重掺杂的N+层与轻掺杂的P阱层形成PN结，即形成雪崩区，包括第一雪崩区和第二雪崩区，并设置两个光照窗口，当光源射入器件内部被光吸收区吸收时，产生光生载流子，光生载流子在电场作用下运动到第一雪崩区以及第二雪崩区参与倍增；还将所述所述P阱层的间隙两端加入STI保护环。该设计技术从PN结以及耗尽区尺寸两方面进行设计，降低器件的暗电流，提高其带宽。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240412

?? 专利权的转移：

20201201

✅ 授权

20190927

?? 实质审查的生效：

20190903

📄 公开

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