发明专利已授权

一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202010748373.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-07-30

申请人

电子科技大学中山学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_423 , H01L21_34 , H01L21_44 ,

技术画像

所属领域

二硫化钼半导体器件场效应晶体管二维材料二硫化钼

应用场景

集成电路, 逻辑器件, 传感器, 光电器件, 柔性电子

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摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用，该二硫化钼场效应晶体管包括依次设置的衬底层、第一金属层、第一栅介质层与二硫化钼半导体薄膜层，二硫化钼半导体薄膜层两侧分别设有源接触电极与漏接触电极，第二、第三栅介质层以及第二金属层，第二金属层穿过第一栅介质层、第二和第三栅介质层与第一金属层接触。本发明实施例通过设置第一金属层与第二金属层分别作为底栅和顶栅来同时控制二硫化钼沟道，增强对沟道的静电控制能力，有助于进一步缩小尺寸，同时提升器件低功耗性能和高频性能表现，解决了现有二硫化钼场效应晶体管结构在低功耗性能和高频性能方面存在不足的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250718

?? 专利权的转移：

20220701

✅ 授权

20201208

?? 实质审查的生效：

20201120

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：29 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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