本发明公开了一种二硫化钼纳米片包覆钛基MOF衍生二氧化钛复合材料的制备方法，涉及电池材料技术领域。包括以下步骤：提供钛基MOF材料，将钛基MOF材料在惰性气体或氮气的保护下煅烧，获得钛基MOF衍生的二氧化钛；以钛基MOF衍生的二氧化钛和碳源为原料，以水为溶剂，通过水热反应，获得碳包覆二氧化钛复合物；将钼源和硫源均匀分散于水溶剂中，再加入碳包覆二氧化钛复合物，混合均匀后，于200～230℃，保温20～24h，即得所述复合材料。本发明通过层状MoS2纳米片包覆以钛基MOF为前驱体制备的TiO2材料，两种材料间结合紧密，同时，在TiO2材料表面包覆均匀碳层，不仅提高材料导电性，更为MoS2的均匀包覆提供大量位点。
📄 2021102416384
📂 C01G39_06
👤 青岛科技大学
📅 2021-03-04
本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，将生长有四氧化三钴阵列的基底，于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化，获得硫化钴纳米针阵列电极；将氯化钼溶于挥发非水溶剂，并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面，干燥待用；再将步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经第二次硫化，随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。
📄 2018101951356
📂 C25B11_06
👤 三峡大学
📅 2018-03-09
本发明提供一种钴掺杂二硫化钼原位电极，所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co‑Mo‑S前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驱膜；将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500~800℃烧结0.5~2 h，随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。本发明利用Co‑Mo‑S前驱液内Co、Mo、S原子的均匀混合性和Co‑Mo‑S乙醇前驱液易均匀成膜性；利用500~800℃高温固相反应制备钴掺杂的二硫化钼。原位Co掺杂MoS2电极生长具有相对于热解Pt电极更好的稳定性。
📄 2017113421093
📂 C01G51_00
👤 三峡大学
📅 2017-12-14
本发明提供一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料，其特征在于，所述的二硫化钼为纳米片状结构，所述的电极材料中，二硫化钼垂直生长于基底上。其具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇，再加入添加剂，得到前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃下快速干燥，得到前驱膜；中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经500~900℃烧结10 min~4 h随炉冷却取出即可得到二硫化钼原位电极。利用500~900℃高温，让Ni源、Co源、小分子等添加剂挥发的同时，让Mo元素与S元素结合生成二硫化钼，利用蒸发流垂直于基底这一特点帮助二硫化钼塑性成垂直于基底的阵列。
📄 2017113416714
📂 C01G39_06
👤 三峡大学
📅 2017-12-14
本发明公开了一种共轭聚乙烯醇修饰纳米二硫化钼的制备方法，首先将巯基乙醇加入二硫化钼溶液中超声分散均匀，冷冻干燥后得到羟基化二硫化钼；然后将聚乙烯醇溶液与羟基化二硫化钼混合，分散均匀获得复合溶液；将所得混合溶液烘干除去水分，热处理后即可得到共轭聚乙烯醇/羟基化二硫化钼复合物。本发明所制得的复合催化剂由于引入了共轭聚乙烯醇，大幅度提高了复合催化剂的光催化性能。
📄 2018102623293
📂 B01J31_06
👤 安徽大学
📅 2018-03-28
本发明公开了一种用于海水制氢的二硫化钼/泡沫镍电催化复合电极及其溶剂回流制备方法，所述二硫化钼/泡沫镍电催化复合电极为具有二维片层或类花状的二硫化钼在泡沫镍基底上垂直生长而成的分级阵列结构；利用二硫化钼与泡沫镍的协同作用，通过原位复合的方式提高电极的催化特性、导电性，能够大幅降低电解水制氢的起始电压，并且能够应用于海水环境，有助于推动氢气的低成本环保化生产。本发明所述二硫化钼/泡沫镍电催化复合电极以溶剂回流方法制备，对设备要求低、可大规模生产，主要制备过程包括：对泡沫镍的预处理、混合前体溶液的制备，然后通过一步溶剂回流法在泡沫镍上生长二硫化钼得到二硫化钼/泡沫镍电催化复合电极。
📄 2018109770749
📂 C25B1_04
👤 鲁东大学
📅 2018-08-26
本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用，该二硫化钼场效应晶体管包括依次设置的衬底层、第一金属层、第一栅介质层与二硫化钼半导体薄膜层，二硫化钼半导体薄膜层两侧分别设有源接触电极与漏接触电极，第二、第三栅介质层以及第二金属层，第二金属层穿过第一栅介质层、第二和第三栅介质层与第一金属层接触。本发明实施例通过设置第一金属层与第二金属层分别作为底栅和顶栅来同时控制二硫化钼沟道，增强对沟道的静电控制能力，有助于进一步缩小尺寸，同时提升器件低功耗性能和高频性能表现，解决了现有二硫化钼场效应晶体管结构在低功耗性能和高频性能方面存在不足的问题。
📄 2020107483732
📂 H01L29_78
👤 电子科技大学中山学院
📅 2020-07-30
本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。
📄 2017106008636
📂 C23C16_30
👤 杭州电子科技大学
📅 2017-07-21
本发明涉及一种三维二硫化钼花球阵列及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1：将钼源和硫源溶解得混合溶液；所述硫源中的硫元素和钼源中的钼元素的摩尔比为3:1~6:1；S2：将钛丝网加入到S1所述混合溶液中，在密闭环境下于200℃~220℃下水热反应8~24h，冷却后将丝网取出漂洗，干燥得到三维二硫化钼花球阵列。本发明提供的制备方法工艺简单，可以快速大量地合成比表面积大，结构稳定的三维二硫化钼花球阵列；本发明合成的三维二硫化钼花球阵列有望在锂离子电池电极材料和电催化剂等领域获得广泛的应用。
📄 2018112231363
📂 C01G39_06
👤 岭南师范学院
📅 2018-10-19
本发明涉及一种二硫化钼‑碳复合花球及其制备方法和应用，所述二硫化钼‑碳复合花球的制备方法如下：S1：将硫代钼酸铵在搅拌条件下溶于乙二醇中形成澄清溶液，然后在搅拌条件下向溶液中加入葡萄糖；S2：将S1所得溶液转移至反应釜中，并于200～240℃条件下加热20～24h；然后冷却、洗涤沉淀、离心、干燥，得固体产物备用；S3：将S2所得固体产物于惰性气体气氛中于450～700℃下热处理2～4h即得所述二硫化钼‑碳复合花球。本发明提供的二硫化钼‑碳复合花球具有三维等级结构，可广泛应用于超级电容器、锂离子电池电极材料或光电催化剂等领域。
📄 2017103755492
📂 C01G39_06
👤 岭南师范学院
📅 2017-05-24
本申请适用半导体材料技术领域，提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜，包括：将硫源和钼源置于加热装置内，于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量，分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，硫源放置于刚玉舟内；钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片，并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜，能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入，能极大减小干扰因素，其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃，提高化学气相沉积反应，能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。
📄 2022107285872
📂 C23C16_30
👤 深圳立专信息科技有限公司
📅 2022-06-24
本发明涉及无机纳米材料技术领域，具体涉及一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料，所述二硫化钼纳米带的制备方法，包括以下步骤：在还原氛围的气流中，将硫氰酸盐置于所述气流的上游端，将钼酸盐置于所述气流的下游端，并在所述钼酸盐的上方悬空设置一衬底，接着在150～600℃下煅烧45‑90min。本发明采用气相沉积法在SiO2衬底直接合成了二硫化钼纳米带，该二硫化钼纳米带具有金属性边界，其开电流能≥90μA/μm；跨导≥4μS/μm，载流子迁移率≥100cm2/(V·s)，开关比≥108，可作为场效应晶体管的电极材料。
📄 2020104063486
📂 H01L29_78
👤 皖西学院
📅 2020-05-14
柿子坊 · 知识产权运营
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