发明专利已授权

一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法

📄 申请号：CN202111429740.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-11-29

公开号

CN114014663B

公开日

2023-01-31

申请人

沈阳鸿晟恒业科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_547

IPC 分类号

C04B35_547 , C04B35_622 , C04B35_645 , C23C14_06 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料靶材化合物半导体

应用场景

红外探测器, 光电器件, 半导体薄膜制备, 光电材料

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摘要

本发明公开了一种碲硒砷镉化合物/靶材及制备方法，由摩尔比为(60‑90):(0.999‑39.99):(0.001～0.01)的碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒研磨成粉、混匀，将混匀的物料装入石墨坩埚中，或者将混匀的物料放入模具中室温压片成靶材坯，压片成形的靶材坯装入石墨治具内，石墨治具放入真空烧结炉内，在真空烧结炉内压实，真空状态加热烧结，自然降温至室温，打开真空烧结炉即得到碲硒砷镉化合物/靶材。上述制备方法能够适应市场规模化生产需求，工序简单、环境友好。制备出的碲硒砷镉化合物结晶度好，制备出的碲硒砷镉靶材相对密度高于90％（晶粒尺寸小于300nm）。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

岩石检测试件端面打磨装置

当前第 / 件

榫卯连接装配式轻墙农房及施工方法

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