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20 件在售专利
本发明公开了一种高温半导体催化剂,可在高温下保持优良光还原CO2性能。该种催化剂主要目的是针对光热催化过程中需要能够耐受高温的半导体催化剂,解决经典光催化剂稳定性受到温度限制的问题的同时,更有效地提高了二氧化碳转化效率及太阳能的利用率,能够将二氧化碳转化为更多的高价值的烷烃类产物,具有较强的实际应用前景。
📄 2022117413557 📂 B01J27_24 👤 浙江工业大学 📅 2022-12-31
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本发明公开一种铒掺杂硒化锌复合材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括:将铒离子摩尔占比为0.02‑0.08的六水合硝酸锌与六水合硝酸铒溶于去离子水中;加入亚硒酸钠和氢氧化钠;再加入还原剂水合肼;经水热反应h后,洗涤、干燥,得到铒掺杂硒化锌复合材料。该材料为立方相ZnSe结构,铒均匀掺杂于晶格中,呈近球形颗粒状。本发明通过铒掺杂在ZnSe带隙中引入丰富的4f电子缺陷态,显著促进电荷转移(化学增强),并提高自由载流子浓度以激发局域表面等离子体共振(电磁增强),实现了两种增强机制的协同效应。该SERS基底对亚甲基蓝的检测限低至3.24×10‑8 mol/L,增强因子高达1.73×104,为环境污染物监测提供新途径。
📄 2026103857315 📂 C01B19_04 👤 浙江工业大学 📅 2026-03-27
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本发明涉及一种硫化锌-硫化铟异质结材料及其制备方法和应用,属于无机材料技术领域,该材料按如下方法制备:将硝酸铟和ZIF-8分别加入乙醇溶液中,然后将含硝酸铟的乙醇溶液加入含ZIF-8的乙醇溶液中,混匀后通过溶剂热法在100-180℃下反应1-6h,经抽滤、洗涤、干燥后获得中间产物,最后将所述中间产物与硫粉混匀后置于管式炉中,以1-10℃/min的速率升温至400-600℃后保温1-6h,即可。该材料为具有丰富界面的纳米异质结,呈纳米棒状,其尺寸仅为数十纳米,能够高效降解有机污染物。其制备工艺简单,易操作,适合扩大化生产。
📄 2019106839291 📂 B01J27_04 👤 西南大学 📅 2019-07-26
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一种水热法合成硒化锡微米晶的方法,将氢氧化钠溶液逐滴地加入二氯化锡溶液中,搅拌直到溶液颜色由浑浊变为澄清透明,制成溶液A,再将二氧化硒和硼氢化钠依次加入蒸馏水中,制成溶液B,将A加入B中,在水热反应釜中180℃下反应12-24小时,然后离心、洗涤、干燥得片状硒化锡黑色粉末;本发明的整个工艺过程中的原料及产生的溶液易处理且无污染,制备成本低,操作过程简单,可重复性高,可以制备出高纯度的片状硒化锡微米晶粉体,为硒化锡材料中各种有趣的光电等性能研究提供了前期重要的物质支持。
📄 2017105466143 📂 C01B19_04 👤 陕西科技大学 📅 2017-07-06
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本发明公开了一种β相硫化铟微米片阵列的制备方法,S10,将导电玻璃依次放入丙酮、无水乙醇、去离子水、无水乙醇中超声清洗,取出自然晾干;S20,将预定量的硫脲和氯化铟溶于去离子水和无水乙醇的混合溶液中,使用磁子搅拌器搅拌后备用;S30,将S10中处理后的导电玻璃放入等离子体清洗器中处理,在清洗有效时间内在导电玻璃导电面的一端贴上胶带;S40,将导电玻璃放入水热釜内胆中,转移S20得到的溶液至水热釜内胆中,进行水热反应,反应结束后自然冷却至室温,取出样品,清洗干燥后得到生长在导电玻璃表面的β相硫化铟微米片阵列。本发明在纳米片阵列的表面也可以提供丰富的活性位点,促进光生载流子参与反应,加强材料的光电化学性能。
📄 2022106691417 📂 C25B11_052 👤 杭州电子科技大学 📅 2022-06-14
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本发明公开了一种碲硒砷镉化合物/靶材及制备方法,由摩尔比为(60‑90):(0.999‑39.99):(0.001~0.01)的碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒研磨成粉、混匀,将混匀的物料装入石墨坩埚中,或者将混匀的物料放入模具中室温压片成靶材坯,压片成形的靶材坯装入石墨治具内,石墨治具放入真空烧结炉内,在真空烧结炉内压实,真空状态加热烧结,自然降温至室温,打开真空烧结炉即得到碲硒砷镉化合物/靶材。上述制备方法能够适应市场规模化生产需求,工序简单、环境友好。制备出的碲硒砷镉化合物结晶度好,制备出的碲硒砷镉靶材相对密度高于90%(晶粒尺寸小于300nm)。
📄 2021114297403 📂 C04B35_547 👤 沈阳鸿晟恒业科技有限公司 📅 2021-11-29
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本发明公开了一种大面积二维氮化镓薄膜的制备方法,以双温区管式炉作为反应装置,在管式炉内两个温区分别放置有内置尿素的瓷舟和涂覆有硝酸镓溶液的蓝宝石基底,在保护气氛条件下,分别对瓷舟和蓝宝石基底进行升温,控制升温速率在瓷舟处达到130~138℃同时蓝宝石基底处的温度为850~950℃,保温使尿素气体与蓝宝石基底的硝酸镓溶液分解产物气相沉积形成大面积二维氮化镓薄膜。本发明的大面积二维氮化镓薄膜的制备方法具有厚度可控性强、面积大、均匀性好和生长速度快的特点。
📄 2020105703884 📂 C23C16_34 👤 广东石油化工学院 📅 2020-06-22
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本发明涉及一种Sr掺杂BaTiO3/ZnTe光阴极材料的制备方法,属于光电催化技术领域。所述的Sr掺杂BaTiO3/ZnTe光催化剂由Sr掺杂BaTiO3纳米纤维核和片状ZnTe壳组成。其中,Sr掺杂BaTiO3是一种铁电材料,通过静电纺丝技术合成。ZnTe作为光吸收体,由水热法制备。通过外加电场极化铁电材料,能够诱导ZnTe光生电荷的选择性分离,增强光生电子在催化剂/溶液界面的聚集,有效提升了ZnTe的光电催化CO2还原活性。本发明所述材料制作成本低,对CO2还原具有较高的活性,在光电催化领域具有较好的应用前景。
📄 2020101027384 📂 C25B1_00 👤 台州学院 📅 2020-02-19
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一种In2S3@CdS
发明 已授权
本发明提出一种In2S3@CdS:Yb,Er催化剂、制备方法及应用,制备方法包括:将InCl3·4H2O、Cd(NO3)2·4H2O和KSCN粉末混合研磨充分,加热得到第一固溶体,利用无水乙醇和去离子水洗涤,干燥以得到In2S3@CdS异质结催化剂;称取稀土元素化合物Yb(NO3)3·6H2O和Er(NO3)3·5H2O,加入In2S3@CdS研磨充分,加热得到第二固溶体,利用无水乙醇和去离子水洗涤,在真空干燥箱内干燥,以最终得到稀土离子共掺杂的In2S3@CdS:Yb,Er催化剂。本发明制备得到的In2S3@CdS:Yb,Er催化剂,可提高CO2还原能力以及无机污染物的降解效率。
📄 2021103229845 📂 B01J27_04 👤 江西理工大学 📅 2021-03-25
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本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M~0.7M的四氯化锡溶液中,用70℃水浴2h后,再在70~200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单,成本低,副产品少,对环境污染小,且制得的SnO2薄膜均匀致密,结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层,可明显提升电池的短路电流,电池的光电转换效率可以达到10%以上,因此,本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景,可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。
📄 2018101953050 📂 H01L51_42 👤 湖北大学 📅 2018-03-09
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本发明提供一种p‑n异质结型氧化铜‑氧化钨材料及制备方法与应用,属于功能材料、光催化材料制备技术领域。一种p‑n异质结型氧化铜‑氧化钨材料,由单斜晶系的氧化铜纳米颗粒负载在六方晶系的氧化钨纳米线表面而成,包括以下步骤:(1)将乙酸铵、二水合钨酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、乙酸溶解得混合溶液,进行水热反应,得到氧化钨纳米线;(2)将氧化钨纳米线、铜源、氨水加入水中,在冰水浴搅拌条件下加入硼氢化钠,得到氧化铜‑氧化钨复合材料。通过冰水浴法成功合成了p‑n异质结型的氧化铜‑氧化钨复合材料,复合材料化学式为CuO‑WO3,所制备的复合材料中氧化铜纳米颗粒均匀的负载在氧化钨纳米线的表面,形成有效接触,稳定性高。
📄 2019111005092 📂 B01J23_888 👤 武汉硕优科技有限公司 📅 2019-11-12
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本发明公开了一种Bi2O2Se晶体及其制备方法,所述Bi2O2Se晶体在300K时电导率为99~715S·cm‑1,2K时电导率为51288~300879S·cm‑1,在9T和2K条件下磁阻的范围2500%~3336%。所述制备方法包含以下步骤:a、按化学计量比将原料Bi2O3、Bi、Se或Bi2O3、Bi2Se3研磨混合均匀后装入石英管中,抽真空至10‑4Pa数量级时,真空密封;b、将密封好的石英管固定在提拉杆上,放置于布里奇曼炉的上炉,在500~600℃进行固相烧结反应;c、待反应结束后,升温至930~950℃,使生长原料熔化,通过控制原料的转速和下降的速度来完成晶体生长,解离得到Bi2O2Se晶体。本发明Bi2O2Se晶体的制备方法简单、成本低廉,晶体质量优良且晶体尺寸大等优点,适合规模化生产。
📄 2019104887093 📂 C30B29_46 👤 江苏科技大学 📅 2019-06-06
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发明 已授权

一种高温半导体催化剂及其应用

2022117413557 · 浙江工业大学
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发明 已授权

铒掺杂硒化锌复合材料及其制备方法和应用

2026103857315 · 浙江工业大学
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发明 已授权
发明 已授权

一种水热法合成硒化锡微米晶的方法

2017105466143 · 陕西科技大学
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一种β相硫化铟微米片阵列的制备方法

2022106691417 · 杭州电子科技大学
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发明 已授权

一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法

2021114297403 · 沈阳鸿晟恒业科技有限公司
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发明 已授权

一种大面积二维氮化镓薄膜及其制备方法

2020105703884 · 广东石油化工学院
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一种Sr掺杂BaTiO3/ZnTe光阴极材料的制备方法

2020101027384 · 台州学院
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发明 已授权

一种In2S3@CdS

2021103229845 · 江西理工大学
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发明 已授权
发明 已授权

一种p-n异质结型氧化铜-氧化钨材料及制备方法与应用

2019111005092 · 武汉硕优科技有限公司
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发明 已授权

一种Bi2O2Se晶体及其制备方法

2019104887093 · 江苏科技大学
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