发明专利已授权

一种中低烧温度稳定型的介质材料及其制备方法

📄 申请号：CN202111320955.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-11-09

公开号

CN113896525A

公开日

2022-01-07

申请人

滁州学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_468

IPC 分类号

C04B35_468 , C04B35_622 ,

技术画像

所属领域

电子陶瓷材料电子陶瓷材料微波介质材料温度稳定型介质陶瓷

应用场景

5G通信基站, 微波滤波器, 介质谐振器, 电子元器件, 卫星通信

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摘要

本发明公开了一种中低烧温度稳定型的介质材料及其制备方法，由主成分经溶解、烧结步骤制备获得，所述主成分由BaTiO3、Nb(OH)5、Cu(NO3)2、Ti(OC4O9)4、Bi(NO3)3·5H2O、NaNO3·H2O、Zn(NO3)2·6H2O、Ba(NO3)2、硼酸三丁酯、硅酸四乙酯组成。本发明所制备的介质陶瓷的烧结温度低、温度稳定性优异，配方原料廉价，制备工艺简单，烧结温度为900℃，材料室温介电常数达896、室温介电损耗为0.019，在‑55℃～200℃温度范围内容温变化率不超过±15％，室温电阻率为6.5×1011，达到了满足X9R特性的多层陶瓷电容器介质陶瓷的要求。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

物联网设备身份认证方法、装置、系统及存储介质

当前第 / 件

适用于SSVEP分类的零填充频域卷积神经网络方法

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